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EMH2308-TL-E详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 3A ECH8; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫欧 @ 3A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：320pF @ 10V; 功率_最大：1.2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：8-EMH; 包装：带卷 (TR)

EMH2314-TL-H详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 5A EMH8; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：37 毫欧 @ 2.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 6V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：8-EMH; 包装：带卷 (TR)

EMH2407-TL-H详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 6A EMH8; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 3A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.3nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：580pF @ 10V; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：8-EMH; 包装：带卷 (TR)

EMH2408-TL-H详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 4A EMH8; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.7nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：345pF @ 10V; 功率_最大：1.2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：8-EMH; 包装：带卷 (TR)

EMH2409-TL-H详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 4A EMH8; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：59 毫欧 @ 2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.4nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：240pF @ 10V; 功率_最大：1.2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：8-EMH; 包装：带卷 (TR)

EMH2411R-TL-H详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 5A EMH8; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：2 N 沟道（双）共漏; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36.5 毫欧 @ 2.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.9nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：8-EMH; 包装：带卷 (TR)

EEE-HB1E4R7AR
电容器 Panasonic Electronic Components 径向，Can - SMD CAP ALUM 4.7UF 25V 20% SMD
EEC19DRAH-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 38POS .100 R/A PCB
EMH1T2R
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 Rohm Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS DUAL NPN 50V 30MA EMT6
EEE-HA1A221P
电容器 Panasonic Electronic Components 径向，Can - SMD CAP ALUM 220UF 10V 20% SMD
CTX0.47-1-R
阵列，信号变压器 Cooper Bussmann 6-SMD，无引线（DFN，LCC） INDUCTOR/TRANSFORMER 0.4UH SMD
CW01033K00KE12
通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 33K OHM 13W 10% WW AXIAL
CUS16
插座 Curtis Industries SC-76，SOD-323 RELAY SOCKET 8 PIN
EEE-HB1E6R8AR
电容器 Panasonic Electronic Components 径向，Can - SMD CAP ALUM 6.8UF 25V 20% SMD
ELXS201VSN152MR45S
电容器 United Chemi-Con 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 1500UF 200V 20% SNAP
EEE-HA1A330R
电容器 Panasonic Electronic Components 径向，Can - SMD CAP ALUM 33UF 10V 20% SMD
CTX02-18713-R
阵列，信号变压器 Cooper Bussmann TRANSFORMER 1:2 10UH 3.17A SMT
CW01033K00KE123
通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 33K OHM 13W 10% WW AXIAL
CUS5
插座 Curtis Industries SC-76，SOD-323 RELAY SOCKET 5 PIN
EEC19DREF
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 38POS .100 EYELET
ELXS201VSN182MA40S
电容器 United Chemi-Con 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 1800UF 200V 20% SNAP

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