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EMG2DXV5T1详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL BIAS SOT-553; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：47k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：230mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-553; 供应商设备封装：SOT-553; 包装：带卷 (TR)

EMG2DXV5T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL BIAS SOT-553; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：47k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：230mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-553; 供应商设备封装：SOT-553; 包装：带卷 (TR)

EMG2DXV5T5详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL BIAS SOT-553; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：47k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：230mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-553; 供应商设备封装：SOT-553; 包装：带卷 (TR)

EMG2DXV5T5G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL BIAS SOT-553; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：47k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：230mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-553; 供应商设备封装：SOT-553; 包装：带卷 (TR)

EMG2T2R详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS DUAL NPN 50V 30MA EMT5; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：47k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 频率_转换：250MHz; 功率_最大：150mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：EMT5; 供应商设备封装：EMT5; 包装：带卷 (TR)

EMG2T2R详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS DUAL NPN 50V 30MA EMT5; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：47k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 频率_转换：250MHz; 功率_最大：150mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：EMT5; 供应商设备封装：EMT5; 包装：Digi-Reel®

EEC18DRTN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 36POS DIP .100 SLD
CURM105-G
单二极管/整流器 Comchip Technology SOD-123T DIODE ULT FAST 1A 600V MINI SMA
ELXS181VSN152MA30S
电容器 United Chemi-Con 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 1500UF 180V 20% SNAP
EMG2DXV5T5G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-553 TRANS BRT NPN DUAL BIAS SOT-553
EEE-HA0J102UP
电容器 Panasonic Electronic Components 径向，Can - SMD CAP ALUM 1000UF 6.3V 20% SMD
EEE-HB1C470AP
电容器 Panasonic Electronic Components 径向，Can - SMD CAP ALUM 47UF 16V 20% SMD
CTVED-A5B3-212.5TS
振荡器 Cardinal Components Inc. 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC TCVCXO 212.50MHZ 3.3V LVPECL
CW010330R0JE123
通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 330 OHM 13W 5% WW AXIAL
EEC18DRXH-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 36POS DIP .100 SLD
EEE-HA0J221WP
电容器 Panasonic Electronic Components 径向，Can - SMD CAP ALUM 220UF 6.3V 20% SMD
EEE-HB1E100AR
电容器 Panasonic Electronic Components 径向，Can - SMD CAP ALUM 10UF 25V 20% SMD
ELXS181VSN152MQ50S
电容器 United Chemi-Con 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 1500UF 180V 20% SNAP
CTX0.33-3A-R
阵列，信号变压器 Cooper Bussmann 6-SMD，无引线（DFN，LCC） INDUCTOR/TRANSFORMER 0.33UH SMD
CW01033K00JB12
通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 33K OHM 13W 5% WW AXIAL
CUS-13TB
Slide Switches Copal Electronics Inc SC-76，SOD-323 SWITCH SLIDE SP3T LOW PROF SMD

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