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EMF5T2R详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS DUAL PNP/NPN EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA，500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V，12V; 电阻器_基极333R1444（欧）：47k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：250MHz，260MHz; 功率_最大：150mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：EMT6; 包装：剪切带 (CT)

EMF5T2R详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS DUAL PNP/NPN EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA，500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V，12V; 电阻器_基极333R1444（欧）：47k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：250MHz，260MHz; 功率_最大：150mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：EMT6; 包装：带卷 (TR)

EMF5T2R详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS DUAL PNP/NPN EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA，500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V，12V; 电阻器_基极333R1444（欧）：47k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：250MHz，260MHz; 功率_最大：150mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：EMT6; 包装：Digi-Reel®

EMF5XV6T5详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT PNP PWR MNGMT SOT-563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA，500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V，12V; 电阻器_基极333R1444（欧）：47k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V / 270 @ 10mA，2V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：带卷 (TR)

EMF5XV6T5G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT PNP PWR MNGMT SOT-563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA，500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V，12V; 电阻器_基极333R1444（欧）：47k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V / 270 @ 10mA，2V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：剪切带 (CT)

EMF5XV6T5G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT PNP PWR MNGMT SOT-563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA，500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V，12V; 电阻器_基极333R1444（欧）：47k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V / 270 @ 10mA，2V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：带卷 (TR)

DAM7W2PR
D-Sub ITT Cannon DSUB 7W2 M PCR/A G
EMF5XV6T5G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BRT PNP PWR MNGMT SOT-563
ELUMEESAQ7C12
按钮 C&K Components 非标准 SWITCH PUSH SPDT 0.25A 50V
ELM 2-800
LED - 垫片，支座 Bivar Inc LED MT SR VERT X 0.800" 3MM 2LD
D4BF RECEPTACLE
其它 Omron Electronics Inc-IA Div RECEPTACLE FOR D4BF SWITCH 8P
EM257509VC
接线座 - 接头，插头和插口 Cooper Bussmann TERM BLOCK 16A 300V CLOSED
ERJ-1GEF8662C
芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0201（0603 公制） RES 86.6K OHM 1/20W 1% 0201 SMD
D7-1
其它工具 Vector Electronics 模块 DIE, .041 HOLE DIA
DAM7W2PZ
D-Sub ITT Cannon DSUB 7W2 M PCB G
ELM 2-815
LED - 垫片，支座 Bivar Inc LED MT SR VERT X 0.815" 3MM 2LD
ELUMEESAQ8C22
按钮 C&K Components 非标准 SWITCH PUSH SPDT 0.25A 50V
EMG11T2R
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 Rohm Semiconductor EMT5 TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT5
EM257509VO
接线座 - 接头，插头和插口 Cooper Bussmann TERM BLOCK 16A 300V OPEN
D7-270
配件 Electroswitch 模块 ASSEMBLY SHAFT 2-11SECT
DAM-7W2S-A191-A197
D-Sub ITT Cannon CONN DSUB RCPT 7W2 SLDER CUP

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