EMD5DXV6T1 全国供应商、价格、PDF资料

EMD5DXV6T1详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k，47k

电阻器_发射极333R2444（欧）：10k，47k

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V / 20 @ 5mA，10V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

频率_转换：-

功率_最大：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商设备封装：SOT-563

包装：带卷 (TR)

EMD5DXV6T1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k，47k

电阻器_发射极333R2444（欧）：10k，47k

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V / 20 @ 5mA，10V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

频率_转换：-

功率_最大：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商设备封装：SOT-563

包装：带卷 (TR)