EMD5DXV6T1详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k，47k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k，47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V / 20 @ 5mA，10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：-
- 功率_最大：500mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SOT-563
- 包装：带卷 (TR)
EMD5DXV6T1G详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k，47k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k，47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V / 20 @ 5mA，10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：-
- 功率_最大：500mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SOT-563
- 包装：带卷 (TR)
EMD5DXV6T5G详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-563
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k，47k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k，47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V / 20 @ 5mA，10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：-
- 功率_最大：500mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SOT-563
- 包装：带卷 (TR)
EMD5T2R详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：47k，4.7k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k，10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V / 30 @ 10mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：EMT6
- 包装：Digi-Reel®
EMD5T2R详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：47k，4.7k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k，10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V / 30 @ 10mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：EMT6
- 包装：剪切带 (CT)
EMD5T2R详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：47k，4.7k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k，10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V / 30 @ 10mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：EMT6
- 包装：带卷 (TR)
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 56POS R/A .156 SLD
- 连接器，互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 100POS FLANGE W/PINS
- 接线座 - 接头，插头和插口 Amphenol PCD CONN HEADER 38POS .150" VERT BK
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 Rohm Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6
- 板对板 - 阵列，边缘类型，包厢 Hirose Electric Co Ltd CONN HDR 30POS 0.4MM SMD GOLD
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 0805（2012 公制） CAP FILM 180PF 50VDC 0805
- D-Sub ITT Cannon DSUB 9 M SOD NMB G50
- 通孔电阻器 Panasonic Electronic Components 轴向 RES 1.2M OHM CARBON FILM 1/2W 5%
- 接线座 - 接头，插头和插口 Amphenol PCD CONN HEADER 40POS .150" VERT BK
- 板对板 - 阵列，边缘类型，包厢 Hirose Electric Co Ltd CONN RCPT 30POS 0.4MM SMD GOLD
- D-Sub ITT Cannon DSUB 9 M SOD NMB G50
- 通孔电阻器 Panasonic Electronic Components 轴向 RES 130 OHM CARBON FILM 1/2W 5%
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 0805（2012 公制） CAP FILM 180PF 50VDC 0805
- 接线座 - 接头，插头和插口 Amphenol PCD CONN TERM BLK PLUG 9POS 3.81MM
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 53POS PIN
0755-82568894 
13717008271 
0755-82569753 
19166203057 
0755-83291010 
0755-84507209 
0512-67241533 
18926544209/1 
010-62962871、 
075582788161 
0755-23612326 
0755-23607529 
0755-22655674 
0755-83015506 
