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EMD22T2R详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS PRE-BIASED 50V 100MA EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 250µA，2.5mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：250MHz; 功率_最大：150mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：EMT6; 包装：剪切带 (CT)

EMD22T2R详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS PRE-BIASED 50V 100MA EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 250µA，2.5mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：250MHz; 功率_最大：150mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：EMT6; 包装：Digi-Reel®

EMD22T2R详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS PRE-BIASED 50V 100MA EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 250µA，2.5mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：250MHz; 功率_最大：150mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：EMT6; 包装：带卷 (TR)

EMD29T2R详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA，500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V，12V; 电阻器_基极333R1444（欧）：1k，10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V / 140 @ 100mA，2V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：250MHz，260MHz; 功率_最大：150mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：EMT6; 包装：带卷 (TR)

EMD29T2R详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA，500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V，12V; 电阻器_基极333R1444（欧）：1k，10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V / 140 @ 100mA，2V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：250MHz，260MHz; 功率_最大：150mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：EMT6; 包装：Digi-Reel®

EMD29T2R详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA，500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V，12V; 电阻器_基极333R1444（欧）：1k，10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V / 140 @ 100mA，2V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：250MHz，260MHz; 功率_最大：150mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：EMT6; 包装：剪切带 (CT)

DJT10F23-35HA
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 100POS FLANGE W/PINS
EMCBL60E
配件 Freescale Semiconductor MCU FLEX CABLE
DF40C(2.0)-60DS-0.4V(51)
板对板 - 阵列，边缘类型，包厢 Hirose Electric Co Ltd CONN RCPT 60POS 0.4MM SMD GOLD
ESM28DTKI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 56POS DIP .156 SLD
FCP0805H151J-J1
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 0805（2012 公制） CAP FILM 150PF 50VDC 0805
ERD.3S.316.CLN
连接器，互连器件 LEMO 0603（1608 公制） RECPT W.NUT 16CTS
DEM-9P-L-NMBK52
D-Sub ITT Cannon CONN DSUB PLUG 9POS R/A PCB
DJT10F23-35JC-LC
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 100POS SKT
ELVD36100
接线座 - 接头，插头和插口 Amphenol PCD CONN HEADER 36POS .150" R/A BK
FCP0805H181G
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 0805（2012 公制） CAP FILM 180PF 50VDC 0805
DEM9PNM
D-Sub ITT Cannon DSUB 9 M NM
ERD-S1TJ123V
通孔电阻器 Panasonic Electronic Components 轴向 RES 12K OHM CARBON FILM 1/2W 5%
ESM28DTMD
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 56POS R/A .156 SLD
DJT10F23-35PB
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 100POS FLANGE W/PINS
ELVD38500
接线座 - 接头，插头和插口 Amphenol PCD CONN HEADER 38POS .150" VERT BK

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