EMA6DXV5T1 全国供应商、价格、PDF资料

EMA6DXV5T1详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

描述：TRANS BR DUAL COMMON EMIT SOT553

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：47k

电阻器_发射极333R2444（欧）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

频率_转换：-

功率_最大：230mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-553

供应商设备封装：SOT-553

包装：带卷 (TR)

EMA6DXV5T1详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

描述：TRANS BR DUAL COMMON EMIT SOT553

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：47k

电阻器_发射极333R2444（欧）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

频率_转换：-

功率_最大：230mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-553

供应商设备封装：SOT-553

包装：剪切带 (CT)

EMA6DXV5T1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

描述：TRANS BR DUAL COMMON EMIT SOT553

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：47k

电阻器_发射极333R2444（欧）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

频率_转换：-

功率_最大：230mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-553

供应商设备封装：SOT-553

包装：剪切带 (CT)

EMA6DXV5T1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

描述：TRANS BR DUAL COMMON EMIT SOT553

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：47k

电阻器_发射极333R2444（欧）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

频率_转换：-

功率_最大：230mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-553

供应商设备封装：SOT-553

包装：带卷 (TR)