

DTD113EKT146详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN 50V 500MA SOT-346
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):1k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):1k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:33 @ 50mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 2.5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:200MHz
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SMT3
- 包装:剪切带 (CT)
DTD113EKT146详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN 50V 500MA SOT-346
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):1k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):1k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:33 @ 50mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 2.5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:200MHz
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SMT3
- 包装:带卷 (TR)
DTD113EKT146详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN 50V 500MA SOT-346
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):1k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):1k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:33 @ 50mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 2.5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:200MHz
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SMT3
- 包装:Digi-Reel®
DTD113ZKT146详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRAN DIGIT NPN 50V 500MA SOT-346
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):1k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:82 @ 50mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 2.5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:200MHz
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SMT3
- 包装:Digi-Reel®
DTD113ZKT146详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRAN DIGIT NPN 50V 500MA SOT-346
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):1k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:82 @ 50mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 2.5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:200MHz
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SMT3
- 包装:剪切带 (CT)
DTD113ZKT146详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRAN DIGIT NPN 50V 500MA SOT-346
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):1k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:82 @ 50mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 2.5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:200MHz
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SMT3
- 包装:带卷 (TR)
- 晶体管(BJT) - 单路 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN 40V 50MA MINI3
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 Maxim Integrated 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC ECONOSILL 3.3V SS 8-USOP
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 100NH 10% 1210
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Rohm Semiconductor SC-70,SOT-323 TRANS DIGITAL NPN 20V 600MA UMT3
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制)宽(长侧)0508(1220 公制) CAP CER 1UF 6.3V 20% X7R 0508
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 220PF 630V 5% NP0 1206
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO SYNC 2048X18 10NS 64QFP
- 电容器 Nichicon 径向,Can - 卡入式 CAP ALUM 6800UF 63V 20% SNAP
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 Maxim Integrated 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC ECONOSCILLATOR SS 3.6V 8-MSOP
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 150NH 20% 1210
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制)宽(长侧)0508(1220 公制) CAP CER 1UF 6.3V 20% X7R 0508
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 2700PF 250V 5% U2J 1206
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO SYNC 2048X18 20NS 64TQFP
- 晶体管(BJT) - 单路 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN 100V 20MA MINI3
- 电容器 Nichicon 径向,Can - 卡入式 CAP ALUM 2200UF 80V 20% SNAP