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DS1220AB-200IND详细规格: 类别：存储器; 描述：IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24DIP; 系列：-; 制造商：Maxim Integrated; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：NVSRAM（非易失 SRAM）; 存储容量：16K (2K x 8); 速度：200ns; 接口：并联; 电压_电源：4.75 V ~ 5.25 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：24-DIP 模块（0.600"，15.24mm）; 供应商器件封装：24-EDIP; 包装：管件

DS1220AB-200IND+详细规格: 类别：存储器; 描述：IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24DIP; 系列：-; 制造商：Maxim Integrated; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：NVSRAM（非易失 SRAM）; 存储容量：16K (2K x 8); 速度：200ns; 接口：并联; 电压_电源：4.75 V ~ 5.25 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：24-DIP 模块（0.600"，15.24mm）; 供应商器件封装：24-EDIP; 包装：管件

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DS1220AB-200+
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IDT70V631S15PRF8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 128-LQFP IC SRAM 4MBIT 15NS 128TQFP
GRM31MR71H105KA88L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 50V 10% X7R 1206
IMC1812ER101K
固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 100UH 10% 1812
IHSM5832PJ472L
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 4700UH 0.14A SMD
DSP25-12A
二极管，整流器 - 阵列 IXYS TO-3P-3 整包 DIODE ARRAY 1200V 28A TO247AD
GS-3-100-3300-F-LF
通孔电阻器 TT Electronics/IRC 轴向 RES THICK FLM 330 OHM 3W 1% AXL
GRM31MR71H394KA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.39UF 50V 10% X7R 1206
IDT70V639S12PRF8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 128-LQFP IC SRAM 2.25MBIT 12NS 128TQFP
IMC1812ER101K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 100UH 10% 1812
DSP2A-DC12V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA RELAY GEN PURPOSE DPST 5A 12V
IHSM5832PJ820L
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 82UH 1.14A SMD
GS-3-100-4701-F-LF
通孔电阻器 TT Electronics/IRC 轴向 RES THICK FLM 4.7K OHM 3W 1% AXL