DMMT3906-7-F 全国供应商、价格、PDF资料

DMMT3906-7-F详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANS SS BIPO PNP DUAL SOT-26

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：2 PNP（双）配对

电流_集电极333Ic444（最大）：200mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 10mA，1V

功率_最大：225mW

频率_转换：250MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6

供应商设备封装：SOT-26

包装：Digi-Reel®

DMMT3906-7-F详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANS SS BIPO PNP DUAL SOT-26

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：2 PNP（双）配对

电流_集电极333Ic444（最大）：200mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 10mA，1V

功率_最大：225mW

频率_转换：250MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6

供应商设备封装：SOT-26

包装：剪切带 (CT)

DMMT3906-7-F详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANS SS BIPO PNP DUAL SOT-26

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：2 PNP（双）配对

电流_集电极333Ic444（最大）：200mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 10mA，1V

功率_最大：225mW

频率_转换：250MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6

供应商设备封装：SOT-26

包装：带卷 (TR)