DCX114EU-7详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS PREBIASED DUAL COMP SOT363
- 系列：-
- 制造商：Diodes Inc
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：10k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：200mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：SOT-363
- 包装：带卷 (TR)
DCX114EU-7详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS PREBIASED DUAL COMP SOT363
- 系列：-
- 制造商：Diodes Inc
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：10k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：200mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：SOT-363
- 包装：剪切带 (CT)
DCX114EU-7-F详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS PREBIASED DUAL COMP SOT363
- 系列：-
- 制造商：Diodes Inc
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：10k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：200mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：SOT-363
- 包装：Digi-Reel®
DCX114EU-7-F详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS PREBIASED DUAL COMP SOT363
- 系列：-
- 制造商：Diodes Inc
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：10k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：200mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：SOT-363
- 包装：带卷 (TR)
DCX114EU-7-F详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS PREBIASED DUAL COMP SOT363
- 系列：-
- 制造商：Diodes Inc
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：10k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：200mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：SOT-363
- 包装：剪切带 (CT)
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 56PF 50V 5% NP0 0603
- 连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 10POS WALL MNT SKT
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-225AA，TO-126-3 TRANSISTOR NPN 180V 100MA TO-126
- 板对板 - 阵列，边缘类型，包厢 Hirose Electric Co Ltd 100-TQFP CONN HEADER 24POS 0.4MM SMD GOLD
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 Diodes Inc SOT-563，SOT-666 TRANS NPN/PNP DUAL SOT-563
- 信号，高达 2 A Standex-Meder Electronics RELAY REED SPST 1A 5V
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 6.6PF 25V R2H 0201
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-204AL，DO-41，轴向 DIODE 1A 1000V SMC DO-204AL
- 连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 12POS WALL MNT SKT
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 68PF 50V 2% NP0 0603
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-225AA，TO-126-3 TRANSISTOR NPN 180V 100MA TO-126
- 信号，高达 2 A Standex-Meder Electronics RELAY REED SPDT 250MA 5V
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 6.8PF 25V R2H 0201
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-204AL，DO-41，轴向 DIODE 1A 1000V SMC DO-204AL
- 连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 15POS WALL MNT SKT
0512-67241533 
0755-83209630 
010-62962871、 
0755-22655674 
0755-83291010 
0755-83051566 
0755-23612326 
0755-84507209 
19166203057 
18026926850/0 
18926544209/1 
18322198211 
0755-82780082 
15821228847 / 
755-83229865 
