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CY7C1041CV33-10BAXA详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 4MBIT 10NS 48LFBGA; 系列：-; 制造商：Cypress Semiconductor Corp; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：4M (256K x 16); 速度：10ns; 接口：并联; 电压_电源：3 V ~ 3.6 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：48-TFBGA; 供应商器件封装：48-FBGA（6x8）; 包装：托盘

CY7C1041CV33-10BAXAT详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 4MBIT 10NS 48LFBGA; 系列：-; 制造商：Cypress Semiconductor Corp; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：4M (256K x 16); 速度：10ns; 接口：并联; 电压_电源：3 V ~ 3.6 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：48-TFBGA; 供应商器件封装：48-FBGA（6x8）; 包装：带卷 (TR)

CY7C1041CV33-10BAXE详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA; 系列：-; 制造商：Cypress Semiconductor Corp; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：4M (256K x 16); 速度：10ns; 接口：并联; 电压_电源：3 V ~ 3.6 V; 工作温度：-40°C ~ 125°C; 封装/外壳：48-TFBGA; 供应商器件封装：48-FBGA（7x8.5）; 包装：托盘

CY7C1041CV33-10ZSXA详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP; 系列：-; 制造商：Cypress Semiconductor Corp; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：4M (256K x 16); 速度：10ns; 接口：并联; 电压_电源：3 V ~ 3.6 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）; 供应商器件封装：44-TSOP II; 包装：托盘

CY7C1041CV33-10ZSXAT详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP; 系列：-; 制造商：Cypress Semiconductor Corp; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：4M (256K x 16); 速度：10ns; 接口：并联; 电压_电源：3 V ~ 3.6 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）; 供应商器件封装：44-TSOP II; 包装：带卷 (TR)

CY7C1041CV33-12BAXE详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 4MBIT 12NS 48LFBGA; 系列：-; 制造商：Cypress Semiconductor Corp; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：4M (256K x 16); 速度：12ns; 接口：并联; 电压_电源：3 V ~ 3.6 V; 工作温度：-40°C ~ 125°C; 封装/外壳：48-TFBGA; 供应商器件封装：48-FBGA（6x8）; 包装：托盘

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