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CY14B104N-BA20XC详细规格: 类别：存储器; 描述：IC NVSRAM 4MBIT 20NS 48TFBGA; 系列：-; 制造商：Cypress Semiconductor Corp; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：NVSRAM（非易失 SRAM）; 存储容量：4M (256K x 16); 速度：20ns; 接口：并联; 电压_电源：2.7 V ~ 3.6 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：48-TFBGA; 供应商器件封装：48-FBGA（6x10）; 包装：管件

CY14B104N-BA20XCT详细规格: 类别：存储器; 描述：IC NVSRAM 4MBIT 20NS 48TFBGA; 系列：-; 制造商：Cypress Semiconductor Corp; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：NVSRAM（非易失 SRAM）; 存储容量：4M (256K x 16); 速度：20ns; 接口：并联; 电压_电源：2.7 V ~ 3.6 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：48-TFBGA; 供应商器件封装：48-FBGA（6x10）; 包装：带卷 (TR)

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CRCW2512100KFKEG
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 100K OHM 1W 1% 2512 SMD
CRCW201016K9FKEF
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 16.9K OHM 3/4W 1% 2010 SMD
CPM1-EMU01-V1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div EEPROM MEM EXP FOR CPM1 CQM1
CX49GFNB12000H0PESZZ
晶体 AVX Corp/Kyocera Corp HC49/US CRYSTAL 12.0MHZ 12PF SMD
COP8SBR9HVA8
嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 44-LCC（J 形引线） IC MCU 8BIT FLASH 44-PLCC
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