CSD16323Q3 全国供应商、价格、PDF资料
CSD16323Q3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:60A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 24A,8V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.4nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 12.5V
- 功率_最大:3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装:8-SON
- 包装:剪切带 (CT)
CSD16323Q3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:60A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 24A,8V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.4nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 12.5V
- 功率_最大:3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装:8-SON
- 包装:带卷 (TR)
CSD16323Q3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:60A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 24A,8V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.4nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 12.5V
- 功率_最大:3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装:8-SON
- 包装:Digi-Reel®
CSD16323Q3C详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:60A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 24A,8V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.4nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 12.5V
- 功率_最大:3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装:8-SON 裸露焊盘(3x3)
- 包装:带卷 (TR)
CSD16323Q3C详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:60A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 24A,8V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.4nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 12.5V
- 功率_最大:3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装:8-SON 裸露焊盘(3x3)
- 包装:剪切带 (CT)
CSD16323Q3C详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:60A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 24A,8V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.4nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 12.5V
- 功率_最大:3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装:8-SON 裸露焊盘(3x3)
- 包装:Digi-Reel®
- 支架 - 元件 Hammond Manufacturing PANEL SIDE 48.9X32.4X0.8" GREY
- 配件 Cypress Semiconductor Corp REPLACEMENT POD
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 0805(2012 公制) RES 0.25 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 电流 Honeywell Sensing and Control HALL-EFF BASED OPEN-LOOP CURR
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 120POS .100 WW
- 阵列,信号变压器 Cooper Bussmann 径向 INDUCTOR TOROID DUAL 50.63UH SMD
- 配件 Murata Power Solutions Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) PANEL CUTOUT PUNCH FOR DMS-30/40
- 晶体管(BJT) - 阵列 Diodes Inc SOT-23-6 TRANS SS BIPO PNP DUAL SOT-26
- 配件 OKI/Metcal COMP DUMMY BGA FOR BGAK3 KIT(10)
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 0805(2012 公制) RES 0.3 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 固定式 Cooper Bussmann 径向 INDUCTOR TOROID PWR 50UH HORZ
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 120PS DIP .100 SLD
- 配件 Murata Power Solutions Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) PANEL CUTOUT PUNCH FOR DMS-30/40
- 晶体管(BJT) - 阵列 Micro Commercial Co 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANSISTOR PNP 200MA 40V SOT363
- 配件 OKI/Metcal COMP DUMMY BGA FOR BGAK3 KIT(10)