CRCW2512220RJNEG的供应信息|PDF资料|求购CRCW2512220RJNEG上51电子网

CRCW2512220RJNEG详细规格: 类别：芯片电阻 - 表面安装; 描述：RES 220 OHM 1W 5% 2512 SMD; 系列：CRCW; 制造商：Vishay Dale; 电阻333Ω444：220; 功率333W444：1W; 成分：厚膜; 特性：获得 AEC-Q200 汽车认证; 温度系数：±200ppm/°C; 容差：±5%; 封装/外壳：2512（6432 公制）; 供应商器件封装：2512（6332 公制）; 大小/尺寸：0.248" L x 0.124" W（6.30mm x 3.15mm）; 高度：0.028"（0.70mm）; 端子数：2; 包装：带卷 (TR)

CRCW2512220RJNEG详细规格: 类别：芯片电阻 - 表面安装; 描述：RES 220 OHM 1W 5% 2512 SMD; 系列：CRCW; 制造商：Vishay Dale; 电阻333Ω444：220; 功率333W444：1W; 成分：厚膜; 特性：获得 AEC-Q200 汽车认证; 温度系数：±200ppm/°C; 容差：±5%; 封装/外壳：2512（6432 公制）; 供应商器件封装：2512（6332 公制）; 大小/尺寸：0.248" L x 0.124" W（6.30mm x 3.15mm）; 高度：0.028"（0.70mm）; 端子数：2; 包装：剪切带 (CT)

CRCW2512220RJNEG详细规格: 类别：芯片电阻 - 表面安装; 描述：RES 220 OHM 1W 5% 2512 SMD; 系列：CRCW; 制造商：Vishay Dale; 电阻333Ω444：220; 功率333W444：1W; 成分：厚膜; 特性：获得 AEC-Q200 汽车认证; 温度系数：±200ppm/°C; 容差：±5%; 封装/外壳：2512（6432 公制）; 供应商器件封装：2512（6332 公制）; 大小/尺寸：0.248" L x 0.124" W（6.30mm x 3.15mm）; 高度：0.028"（0.70mm）; 端子数：2; 包装：Digi-Reel®

CRCW2512220RJNEGHP详细规格: 类别：芯片电阻 - 表面安装; 描述：RES 220 OHM 1.5W 5% 2512 SMD; 系列：CRCW-HP; 制造商：Vishay Dale; 电阻333Ω444：220; 功率333W444：1.5W; 成分：厚膜; 特性：获得 AEC-Q200 汽车认证，防脉冲; 温度系数：±200ppm/°C; 容差：±5%; 封装/外壳：2512（6432 公制）; 供应商器件封装：2512; 大小/尺寸：0.248" L x 0.124" W（6.30mm x 3.15mm）; 高度：0.028"（0.70mm）; 端子数：2; 包装：剪切带 (CT)

CRCW2512220RJNEGHP详细规格: 类别：芯片电阻 - 表面安装; 描述：RES 220 OHM 1.5W 5% 2512 SMD; 系列：CRCW-HP; 制造商：Vishay Dale; 电阻333Ω444：220; 功率333W444：1.5W; 成分：厚膜; 特性：获得 AEC-Q200 汽车认证，防脉冲; 温度系数：±200ppm/°C; 容差：±5%; 封装/外壳：2512（6432 公制）; 供应商器件封装：2512; 大小/尺寸：0.248" L x 0.124" W（6.30mm x 3.15mm）; 高度：0.028"（0.70mm）; 端子数：2; 包装：Digi-Reel®

CRCW2512220RJNEGHP详细规格: 类别：芯片电阻 - 表面安装; 描述：RES 220 OHM 1.5W 5% 2512 SMD; 系列：CRCW-HP; 制造商：Vishay Dale; 电阻333Ω444：220; 功率333W444：1.5W; 成分：厚膜; 特性：获得 AEC-Q200 汽车认证，防脉冲; 温度系数：±200ppm/°C; 容差：±5%; 封装/外壳：2512（6432 公制）; 供应商器件封装：2512; 大小/尺寸：0.248" L x 0.124" W（6.30mm x 3.15mm）; 高度：0.028"（0.70mm）; 端子数：2; 包装：带卷 (TR)

CRCW2512220RJNEG供应商

查看更多CRCW2512220RJNEG的供应商

IRF9Z10
FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 50V 6.7A TO-220AB
IRL540NSTRLPBF
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
EXB-E10C224J
网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1608（4021 公制），凹陷 RES ARRAY 220K OHM 8 RES 1608
CRCW2512220RJNEG
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 220 OHM 1W 5% 2512 SMD
IRF9Z14STRL
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
IRF7469
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOIC
IHSM7832RG270L
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 27UH 3.4A SMD
IRL540S
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
IRF9Z20
FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB
IRL540SPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
IHSM7832RG470L
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 47UH 2.6A SMD
IRF7469PBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOIC
IRF9Z24STRLPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
CSD18503Q5A
FET - 单 Texas Instruments 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 40V 8SON
CRCW2512226RFKEG
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 226 OHM 1W 1% 2512 SMD