C8051F305的供应信息|PDF资料|求购C8051F305上51电子网

C8051F305详细规格: 类别：嵌入式 - 微控制器，; 描述：IC 8051 MCU 2K FLASH 11MLP; 系列：C8051F30x; 制造商：Silicon Laboratories Inc; 核心处理器：8051; 核心尺寸：8-位; 速度：25MHz; 连接性：SMBus（2 线/I²C），UART/USART; 外设：POR，PWM，WDT; I/O数：8; 程序存储容量：2KB（2K x 8）; 程序存储器类型：闪存; EEPROM容量：-; RAM容量：256 x 8; 电压_电源333Vcc/Vdd444：2.7 V ~ 3.6 V; 数据转换器：-; 振荡器类型：外部; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：10-VFDFN 裸露焊盘; 包装：管件

C8051F305-GM详细规格: 类别：嵌入式 - 微控制器，; 描述：IC 8051 MCU 2K FLASH 11QFN; 系列：C8051F30x; 制造商：Silicon Laboratories Inc; 核心处理器：8051; 核心尺寸：8-位; 速度：25MHz; 连接性：SMBus（2 线/I²C），UART/USART; 外设：POR，PWM，WDT; I/O数：8; 程序存储容量：2KB（2K x 8）; 程序存储器类型：闪存; EEPROM容量：-; RAM容量：256 x 8; 电压_电源333Vcc/Vdd444：2.7 V ~ 3.6 V; 数据转换器：-; 振荡器类型：外部; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：10-VFDFN 裸露焊盘; 包装：管件

C8051F305-GMR详细规格: 类别：嵌入式 - 微控制器，; 描述：IC 8051 MCU 2K FLASH 11QFN; 系列：C8051F30x; 制造商：Silicon Laboratories Inc; 核心处理器：8051; 核心尺寸：8-位; 速度：25MHz; 连接性：SMBus（2 线/I²C），UART/USART; 外设：POR，PWM，WDT; I/O数：8; 程序存储容量：2KB（2K x 8）; 程序存储器类型：闪存; EEPROM容量：-; RAM容量：256 x 8; 电压_电源333Vcc/Vdd444：2.7 V ~ 3.6 V; 数据转换器：-; 振荡器类型：外部; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：10-VFDFN 裸露焊盘; 包装：带卷 (TR)

C8051F305-GS详细规格: 类别：嵌入式 - 微控制器，; 描述：IC 8051 MCU 2K FLASH 14-SOIC; 系列：C8051F30x; 制造商：Silicon Laboratories Inc; 核心处理器：8051; 核心尺寸：8-位; 速度：25MHz; 连接性：SMBus（2 线/I²C），UART/USART; 外设：POR，PWM，WDT; I/O数：8; 程序存储容量：2KB（2K x 8）; 程序存储器类型：闪存; EEPROM容量：-; RAM容量：256 x 8; 电压_电源333Vcc/Vdd444：2.7 V ~ 3.6 V; 数据转换器：-; 振荡器类型：外部; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 包装：管件

C8051F305R详细规格: 类别：嵌入式 - 微控制器，; 描述：IC 8051 MCU 2K FLASH 11MLP; 系列：C8051F30x; 制造商：Silicon Laboratories Inc; 核心处理器：8051; 核心尺寸：8-位; 速度：25MHz; 连接性：SMBus（2 线/I²C），UART/USART; 外设：POR，PWM，WDT; I/O数：8; 程序存储容量：2KB（2K x 8）; 程序存储器类型：闪存; EEPROM容量：-; RAM容量：256 x 8; 电压_电源333Vcc/Vdd444：2.7 V ~ 3.6 V; 数据转换器：-; 振荡器类型：外部; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：10-VFDFN 裸露焊盘; 包装：剪切带 (CT)

C8051F305R详细规格: 类别：嵌入式 - 微控制器，; 描述：IC 8051 MCU 2K FLASH 11MLP; 系列：C8051F30x; 制造商：Silicon Laboratories Inc; 核心处理器：8051; 核心尺寸：8-位; 速度：25MHz; 连接性：SMBus（2 线/I²C），UART/USART; 外设：POR，PWM，WDT; I/O数：8; 程序存储容量：2KB（2K x 8）; 程序存储器类型：闪存; EEPROM容量：-; RAM容量：256 x 8; 电压_电源333Vcc/Vdd444：2.7 V ~ 3.6 V; 数据转换器：-; 振荡器类型：外部; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：10-VFDFN 裸露焊盘; 包装：带卷 (TR)

C431PB1
SCR - 单个 Powerex Inc TO-200AB，A-PUK THYRISTOR DSC 1200V 750A TO200AB
9T12062A4123CAHFT
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 412K OHM 1/8W .25% SMD 1206
C8051F305R
嵌入式 - 微控制器， Silicon Laboratories Inc 10-VFDFN 裸露焊盘 IC 8051 MCU 2K FLASH 11MLP
C3391-100.000
振荡器 Crystek Corporation 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 100.00 MHZ 3.3V +/-25PPM SMD
CGA5C4C0G2J181J
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 180PF 630V 5% NP0 1206
C1206L475M4PACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 4.7UF 16V 20% X5R 1206
C4408.84.07
多芯导线 General Cable/Carol Brand TO-200AB，A-PUK 2C/22 SBC BURG CMX/CM 6CL/CTN
CA06COMPG16S-5PB
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 3POS INLINE W/PINS
C1206C560JDGACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 56PF 1KV 5% NP0 1206
C3391-12.288
振荡器 Crystek Corporation 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 12.288 MHZ 3.3V +/-25PPM SMD
CGA5C4C0G2J221J
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 220PF 630V 5% NP0 1206
C1206N102K1GSL
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 1000PF 100V 10% NP0 1206
CA06COMPG18-10SB
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 4POS INLINE W/SKTS
C4408ST.18.07
多芯导线 General Cable/Carol Brand TO-200AB，A-PUK 2C/22 7/9.6 BURGLAR CMX/CMR
9T12062A41R2CBHFT
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 41.2 OHM 1/8W .25% SMD 1206

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