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BC80816MTF详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 25V 800MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：800mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：25V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：310mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23; 包装：带卷 (TR)

BC808-25LT1详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 25V 500MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：25V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 100mA，1V; 功率_最大：225mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

BC808-25LT1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 25V 500MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：25V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 5mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 100mA，1V; 功率_最大：225mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：Digi-Reel®

BC808-25LT1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 25V 500MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：25V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 5mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 100mA，1V; 功率_最大：225mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：剪切带 (CT)

BC808-25LT1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 25V 500MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：25V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 5mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 100mA，1V; 功率_最大：225mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

BC80825MTF详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 25V 800MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：800mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：25V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 100mA，1V; 功率_最大：310mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23; 包装：带卷 (TR)

BA15BC0WFP-E2
PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD IC REG LDO 1.5V 1A TO252-5
BFC242015603
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.056UF 630VDC RADIAL
BF024I0223JDD
薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 0.022UF 400VDC RADIAL
BC807DS,115
晶体管(BJT) - 阵列 NXP Semiconductors SC-74，SOT-457 TRANSISTOR PNP 500MA 45V 6TSOP
C1210X106K8RACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 10UF 10V 10% X7R 1210
C0402C181J8GACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 180PF 10V 5% NP0 0402
BFC242016202
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 6200PF 630VDC RADIAL
BA17805CP-E2
PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor TO-220-3截切引线 IC REG LDO 5V 1A TO220CP-3
BK/HTC-150M
配件 Cooper Bussmann TO-220-3截切引线 ACCY COVER SNAP-ON FOR HTC-15M
BF054D0225K
薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 2.2UF 63VDC RADIAL
C0402C181K3RACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 180PF 25V 10% X7R 0402
C1210X154J5GACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 0.15UF 50V 5% NP0 1210
BA17809FP-E2
PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 IC REG LDO 9V 1A TO252-3
C1608X5R1A225M/0.50
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 2.2UF 10V 20% X5R 0603
BD677
晶体管(BJT) - 单路 STMicroelectronics TO-225AA，TO-126-3 TRANS DARL NPN 60V SOT-32

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