BZX884-B39 全国供应商、价格、PDF资料
BZX884-B39,315详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 250MW 39V SOD882
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:39V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:50nA @ 27.3V
- 容差:±2%
- 功率_最大:250mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:130 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOD-882
- 供应商设备封装:SOD-882
- 包装:Digi-Reel®
BZX884-B39,315详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 39V 250MW SOD882
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:39V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:50nA @ 27.3V
- 容差:±2%
- 功率_最大:250mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:130 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOD-882
- 供应商设备封装:SOD-882
- 包装:带卷 (TR)
BZX884-B39,315详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 250MW 39V SOD882
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:39V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:50nA @ 27.3V
- 容差:±2%
- 功率_最大:250mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:130 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOD-882
- 供应商设备封装:SOD-882
- 包装:剪切带 (CT)
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 3300PF 25V 10% X7R 0402
- 逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 14-DIP(0.300",7.62mm) IC QUAD 2-IN NAND GATE 14-DIP
- 电容器 EPCOS Inc 330UF 400V 35X25 SNAP-IN
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-882 DIODE ZENER 250MW 33V SOD882
- 晶体管 - 专用型 NXP Semiconductors TO-253-4,TO-253AA TRANS PNP 30V 100MA DUAL SOT143B
- 单二极管/齐纳 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 11V 350MW SOT23-3
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 3300PF 50V 10% X7R 0402
- 陶瓷 TDK Corporation 01005(0402 公制) CAP CER 33PF 16V 2% NP0 01005
- 逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC INVERTER HEX 14SOIC
- 晶体管(BJT) - 阵列 NXP Semiconductors TO-253-4,TO-253AA TRANS ARR 2NPN 30V/6V SOT143B
- 二极管/齐纳阵列 Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 DIODE ZENER DUAL 11V SC70-6
- 陶瓷 TDK Corporation 01005(0402 公制) CAP CER 36PF 16V 2% NP0 01005
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 3300PF 50V 10% X7R 0402
- 逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 14-DIP(0.300",7.62mm) IC HEX INVERTER 14-DIP
- 晶体管(BJT) - 阵列 NXP Semiconductors TO-253-4,TO-253AA TRANS ARR 2NPN 30V/6V SOT143B