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BZX85C5V6详细规格: 类别：单二极管/齐纳; 描述：DIODE ZENER 5.6V 1W DO-41; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 电压_齐纳（标称）333Vz444：5.6V; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.2V @ 200mA; 电流_在Vr时反向漏电：1µA @ 2V; 容差：±7%; 功率_最大：1W; 阻抗（最大）333Zzt444：7 欧姆; 安装类型：通孔; 封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向; 供应商设备封装：DO-41; 包装：散装

BZX85C5V6_T50A详细规格: 类别：单二极管/齐纳; 描述：DIODE ZENER 5.6V 1W DO-41; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 电压_齐纳（标称）333Vz444：5.6V; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.2V @ 200mA; 电流_在Vr时反向漏电：1µA @ 2V; 容差：±7%; 功率_最大：1W; 阻抗（最大）333Zzt444：7 欧姆; 安装类型：通孔; 封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向; 供应商设备封装：DO-41; 包装：带盒（TB）

BZX85C5V6_T50R详细规格: 类别：单二极管/齐纳; 描述：DIODE ZENER 5.6V 1W DO-41; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 电压_齐纳（标称）333Vz444：5.6V; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.2V @ 200mA; 电流_在Vr时反向漏电：1µA @ 2V; 容差：±7%; 功率_最大：1W; 阻抗（最大）333Zzt444：7 欧姆; 安装类型：通孔; 封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向; 供应商设备封装：DO-41; 包装：带卷 (TR)

C901U509CZNDCA7317
陶瓷 Kemet 径向，圆盘 CAP CER 5PF 300V RADIAL
BFC238370123
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.012UF 2.5KVDC RADIAL
C1206C562J1RACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 5600PF 100V 5% X7R 1206
BZX85C56_T50R
单二极管/齐纳 Fairchild Semiconductor DO-204AL，DO-41，轴向 DIODE ZENER 56V 1W DO-41
C8051F563-IQ
嵌入式 - 微控制器， Silicon Laboratories Inc 32-LQFP IC 8051 MCU 32K FLASH 32-QFP
BUK7Y18-75B,115
FET - 单 NXP Semiconductors SC-100，SOT-669，4-LFPAK MOSFET N-CH 75V 49A LFPAK
C1206C273F3GACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 0.027UF 25V 1% NP0 1206
C901U510JYSDAA7317
陶瓷 Kemet 径向，圆盘 CAP CER 51PF 250V 5% RADIAL
C1206C562K2RACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 5600PF 200V 10% X7R 1206
C8051F565-IQ
嵌入式 - 微控制器， Silicon Laboratories Inc 32-LQFP IC 8051 MCU 16K FLASH 32-QFP
BUK9207-30B,118
FET - 单 NXP Semiconductors TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
C1206C273J8RACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 0.027UF 10V 5% X7R 1206
C901U510JYSDAAWL20
陶瓷 Kemet 径向，圆盘 CAP CER 51PF 250V 5% RADIAL
BFC238370203
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.02UF 2.5KVDC RADIAL
C1206C562K5RACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 5600PF 50V 10% X7R 1206

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