BZX84C6V2LT1G 全国供应商、价格、PDF资料
BZX84C6V2LT1G详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 6.2V 225MW SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:6.2V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:3µA @ 4V
- 容差:±6%
- 功率_最大:225mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:10 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
BZX84C6V2LT1G详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 6.2V 225MW SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:6.2V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:3µA @ 4V
- 容差:±6%
- 功率_最大:225mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:10 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:剪切带 (CT)
BZX84C6V2LT1G详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 6.2V 225MW SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:6.2V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:3µA @ 4V
- 容差:±6%
- 功率_最大:225mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:10 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:Digi-Reel®
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 4700PF 1KV 20% X7R 1206
- 芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 2512(6432 公制) RES 66.5 OHM 2W 1% 2512
- 过时/停产零件编号 Silicon Laboratories Inc 2512(6432 公制) DEV KIT F220/221/226/230/231/236
- 单二极管/齐纳 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 6.2V 225MW SOT-23
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 3300PF 630VDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.015UF 500V X7R 1206
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.013UF 1.4KVDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.047UF 25V 2% NP0 1206
- 芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 2512(6432 公制) RES 68.1 OHM 2W 1% 2512
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.015UF 500V X7R 1206
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.047UF 100V 5% X8R 1206
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.13UF 1.4KVDC RADIAL
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.33UF 630VDC RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 2512(6432 公制) RES 76.8 OHM 2W 1% 2512
- 过时/停产零件编号 Silicon Laboratories Inc 2512(6432 公制) DEV KIT F220/221/226/230/231/236