BZX84C3V6LT1G 全国供应商、价格、PDF资料
BZX84C3V6LT1G详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 3.6V 225MW SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:3.6V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:5µA @ 1V
- 容差:±6%
- 功率_最大:225mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:90 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:剪切带 (CT)
BZX84C3V6LT1G详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 3.6V 225MW SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:3.6V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:5µA @ 1V
- 容差:±6%
- 功率_最大:225mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:90 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
BZX84C3V6LT1G详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 3.6V 225MW SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:3.6V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:5µA @ 1V
- 容差:±6%
- 功率_最大:225mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:90 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:Digi-Reel®
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE ZENER 5.1V 500MW DO-35
- 单二极管/齐纳 Fairchild Semiconductor DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE ZENER 24V 500MW DO-35
- 单二极管/齐纳 Diodes Inc SC-70,SOT-323 DIODE ZENER 3.3V 200MW SC70-3
- RF 天线 Wurth Electronics Inc SC-70,SOT-323 ANTENNA MULTILAYER 5.1-5.3GHZ
- RF 二极管 Infineon Technologies SC-79,SOD-523 DIODE PIN SGL 80V 100MA SC-79
- 晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc TO-261-4,TO-261AA TRANS NPN 45V 1A 2W SOT223
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 0.082UF 10V 10% X7R 0402
- 晶体 EPSON 圆柱形罐,径向 CRYSTAL 32.7680KHZ 6.0PF CYL
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE ZENER 24V 500MW DO-35
- RF 二极管 Infineon Technologies 4-XFDFN DIODE PIN PAR 80V 100MA TSLP-4-7
- D-Sub TE Connectivity 4-XFDFN CONN D-SUB RCPT R/A 25POS PCB AU
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT223
- 晶体 EPSON 圆柱形罐,径向 CRYSTAL 32.7680KHZ 9PF CYL
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 0.082UF 10V 10% X7R 0402
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE ZENER 24V 500MW DO-35