BZX84-C62,215 全国供应商、价格、PDF资料
BZX84-C62,215详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 62V 250MW SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:62V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:50nA @ 43.4V
- 容差:±5%
- 功率_最大:250mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:215 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
BZX84-C62,215详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 62V 250MW SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:62V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:50nA @ 43.4V
- 容差:±5%
- 功率_最大:250mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:215 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:剪切带 (CT)
BZX84-C62,215详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 62V 250MW SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:62V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:50nA @ 43.4V
- 容差:±5%
- 功率_最大:250mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:215 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:Digi-Reel®
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor * DIODE SW 1A 400V DO-41
- 陶瓷 Kemet 1825(4564 公制) CAP CER 1000PF 630V 5% NP0 1825
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 62V 250MW SOT23
- 二极管,整流器 - 阵列 Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 DIODE SCHOTTKY 3V 100MA SOT343
- 板对板 - 阵列,边缘类型,包厢 Panasonic Electric Works SC-82A,SOT-343 CONN HEADER P5KS .5MM 50POS SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 0.22UF 100V X7S 0805
- 晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR DARL NPN 60V SOT23-3
- 陶瓷 Kemet 1825(4564 公制) CAP CER 1000PF 2KV 10% X7R 1825
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor * DIODE SW 1A 400V DO-41
- 板对板 - 阵列,边缘类型,包厢 Panasonic Electric Works TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 CONN HEADER P5KS .5MM 50POS SMD
- 单二极管/整流器 Infineon Technologies SC-80 DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SCD-80
- 陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 0.22UF 100V 10% X7S 0805
- 晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR DARL NPN SOT23-3
- 陶瓷 Kemet 1825(4564 公制) CAP CER 1000PF 2.5KV X7R 1825
- D-Sub Norcomp Inc. 1825(4564 公制) CONN MALE COAX 3W3 DIP SLD NKL