BZT52C6V8LP-7 全国供应商、价格、PDF资料
BZT52C6V8LP-7详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 6.8V 250MW 2-DFN
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:6.8V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:2µA @ 4V
- 容差:±6%
- 功率_最大:250mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:15 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:2-XFDFN
- 供应商设备封装:2-DFN1006(1.0x0.6)
- 包装:Digi-Reel®
BZT52C6V8LP-7详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 6.8V 250MW 2-DFN
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:6.8V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:2µA @ 4V
- 容差:±6%
- 功率_最大:250mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:15 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:2-XFDFN
- 供应商设备封装:2-DFN1006(1.0x0.6)
- 包装:带卷 (TR)
BZT52C6V8LP-7详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 6.8V 250MW 2-DFN
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:6.8V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:2µA @ 4V
- 容差:±6%
- 功率_最大:250mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:15 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:2-XFDFN
- 供应商设备封装:2-DFN1006(1.0x0.6)
- 包装:剪切带 (CT)
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 68PF 300V 5% RADIAL
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 3900PF 250V 20% RADIAL
- 单二极管/齐纳 Micro Commercial Co SOD-123 DIODE ZENER 500MW 6.2V SOD123
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 0.47UF 35V 20% X7R 0603
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 24-VFQFN 裸露焊盘 IC LI-ION BATT CHARGER 24-VQFN
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 100PF 1KV 20% NP0 0805
- 继电器 Yageo 0612(1632 公制) CAP ARRAY 4CH 22PF 50V 1206
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 68PF 300V 5% RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 68PF 200V 5% NP0 1210
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 32-VFQFN 裸露焊盘 IC SYNC BATT PACK CHARGER 32-QFN
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 1000PF 100V 10% X7R 0603
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 100PF 1KV 20% NP0 0805
- 继电器 Yageo 0612(1632 公制) CAP ARRAY 4CH 47PF 50V 1206
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 75PF 250V 5% RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 680PF 500V 5% NP0 1210