BZD27C8V2P-GS08详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 8.2V 800MW DO219
- 系列:-
- 制造商:Vishay Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:8.2V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):1.2V @ 200mA
- 电流_在Vr时反向漏电:10µA @ 3V
- 容差:±6%
- 功率_最大:800mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:2 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DO-219AB
- 供应商设备封装:DO-219AB(SMF)
- 包装:剪切带 (CT)
BZD27C8V2P-GS08详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 8.2V 800MW DO219
- 系列:-
- 制造商:Vishay Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:8.2V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):1.2V @ 200mA
- 电流_在Vr时反向漏电:10µA @ 3V
- 容差:±6%
- 功率_最大:800mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:2 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DO-219AB
- 供应商设备封装:DO-219AB(SMF)
- 包装:带卷 (TR)
BZD27C8V2P-GS08详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 8.2V 800MW DO219
- 系列:-
- 制造商:Vishay Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:8.2V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):1.2V @ 200mA
- 电流_在Vr时反向漏电:10µA @ 3V
- 容差:±6%
- 功率_最大:800mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:2 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DO-219AB
- 供应商设备封装:DO-219AB(SMF)
- 包装:Digi-Reel®
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 0.015UF 16V 20% X7R 0402
- 固定式 EPCOS Inc 1210(3225 公制) INDUCTOR 15UH 165MA 1210 10%
- 二极管/齐纳阵列 NXP Semiconductors SOT-663 DIODE ZENER DUAL 6.8V SOT663
- 评估演示板和套件 Maxim Integrated SOT-663 BOARD DEMO 71M6515H ENERGY METER
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 0.68UF 16V 20% Y5V 0805
- 铁氧体磁珠和芯片 Wurth Electronics Inc 0805(2012 公制) FERRITE BEAD 1500 OHM .20A 0805
- PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP(0.063",1.60mm 宽),5 引线 IC DETECTOR VOLT 2.1V ODRN 5SSOP
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 0.015UF 16V 20% X7R 0402
- 固定式 EPCOS Inc 1210(3225 公制) INDUCTOR 15UH 165MA 1210 10%
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 0.68UF 10V 20% X7R 0805
- 铁氧体磁珠和芯片 Wurth Electronics Inc 1206(3216 公制) FERRITE BEAD 31 OHM 3.0A 1206
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 0.015UF 16V 20% X7R 0402
- PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP(0.063",1.60mm 宽),5 引线 IC DETECTOR VOLT 2.5V ODRN 5SSOP
- 固定式 EPCOS Inc 1210(3225 公制) INDUCTOR 2.2UH 270MA 1210 10%
- PMIC - 能量测量 Maxim Integrated IC ENERGY METER 128KB 100-LQFP