

BUZ30A详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:21A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫欧 @ 13.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:PG-TO220-3
- 包装:管件
BUZ30A E3045A详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:21A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫欧 @ 13.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:PG-TO263-3
- 包装:带卷 (TR)
BUZ30A H详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:21A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫欧 @ 13.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:PG-TO220-3
- 包装:管件
BUZ30A H3045A详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:21A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫欧 @ 13.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA
- 供应商设备封装:PG-TO263-3
- 包装:带卷 (TR)
BUZ30A H3045A详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:21A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫欧 @ 13.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA
- 供应商设备封装:PG-TO263-3
- 包装:剪切带 (CT)
BUZ30A H3045A详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:21A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫欧 @ 13.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA
- 供应商设备封装:PG-TO263-3
- 包装:Digi-Reel®
- 单芯导线 General Cable/Carol Brand 径向,Can - 螺丝端子 HOOK-UP WIRE ORN STRANDED 22 AWG
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB
- 陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 22UF 6.3V 20% X7S 0805
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 9POS INLINE W/SKTS
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 14POS INLINE W/PINS
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 6800PF 200V 10% X7R 0805
- 矩形- 接头,公引脚 Molex Connector Corporation CONN HEADER 30POS .100" STR GOLD
- 单芯导线 General Cable/Carol Brand 径向,Can - 螺丝端子 GREEN 22AWG HOOKUP WIRE STRANDED
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 3POS BOX MNT W/PINS
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 14POS INLINE W/SKTS
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 9POS INLINE W/SKTS
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 6800PF 25V 10% X7R 0805
- 单芯导线 General Cable/Carol Brand 径向,Can - 螺丝端子 RED 22AWG HOOKUP WIRE STRANDED
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 3POS BOX MNT W/SKTS
- FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3