BUT11 全国供应商、价格、PDF资料

BUT11详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 400V 5A TO-220

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：400V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 600mA，3A

电流_集电极截止（最大）：1mA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：-

功率_最大：100W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220

包装：散装

BUT11A详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 450V 5A TO-220

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：450V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 500mA，2.5A

电流_集电极截止（最大）：1mA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：-

功率_最大：100W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220

包装：散装

BUT11A详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 450V 5A TO-220

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：450V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 500mA，2.5A

电流_集电极截止（最大）：1mA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10 @ 500mA，5V

功率_最大：83W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220

包装：管件

BUT11AFTU详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 450V 5A TO-220F

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：450V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 500mA，2.5A

电流_集电极截止（最大）：1mA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：-

功率_最大：40W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 整包

供应商设备封装：TO-220F

包装：管件

BUT11AI,127详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 1000V 5A TO220AB

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：450V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 330mA，2.5A

电流_集电极截止（最大）：1mA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：14 @ 500mA，5V

功率_最大：100W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220AB

包装：管件

BUT11APX,127详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 1000V 5A SOT186A

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：450V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 600mA，3A

电流_集电极截止（最大）：1mA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：14 @ 500mA，5V

功率_最大：32W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 隔离片

供应商设备封装：TO-220-3

包装：管件