BU941Z 全国供应商、价格、PDF资料

BU941ZP详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR DARL NPN TO-247

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：NPN - 达林顿

电流_集电极333Ic444（最大）：15A

电压_集电极发射极击穿（最大）：350V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2V @ 300mA，12A

电流_集电极截止（最大）：100µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 5A，10V

功率_最大：155W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

供应商设备封装：TO-247-3

包装：管件

BU941ZPFI详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 350V 15A TO-3PF

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：NPN - 达林顿

电流_集电极333Ic444（最大）：15A

电压_集电极发射极击穿（最大）：350V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2V @ 300mA，12A

电流_集电极截止（最大）：100µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 5A，10V

功率_最大：65W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3PF

供应商设备封装：TO-3PF

包装：管件

BU941ZPFI详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 350V 15A TO-3PF

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：NPN - 达林顿

电流_集电极333Ic444（最大）：15A

电压_集电极发射极击穿（最大）：350V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2V @ 300mA，12A

电流_集电极截止（最大）：100µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 5A，10V

功率_最大：65W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3PF

供应商设备封装：TO-3PF

包装：管件

BU941ZT详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：DARL DVR NPN 350V 15A TO-220

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：NPN - 达林顿

电流_集电极333Ic444（最大）：15A

电压_集电极发射极击穿（最大）：350V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.8V @ 250mA，10A

电流_集电极截止（最大）：100µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 5A，10V

功率_最大：150W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220AB

包装：管件

BU941ZTFP详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：IC DRIVER NPN DARL 350V TO220FP

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：NPN - 达林顿

电流_集电极333Ic444（最大）：15A

电压_集电极发射极击穿（最大）：350V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.8V @ 250mA，10A

电流_集电极截止（最大）：100µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 5A，10V

功率_最大：55W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 整包

供应商设备封装：TO-220AB

包装：管件