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BTS282Z详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7; 系列：TEMPFET®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：49V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫欧 @ 36A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 240µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：232nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-7 成形引线; 供应商设备封装：PG-TO220-7; 包装：管件

BTS282Z E3180A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7; 系列：TEMPFET®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：49V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫欧 @ 36A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 240µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：232nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA; 供应商设备封装：PG-TO220-7-180; 包装：剪切带 (CT)

BTS282Z E3180A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7; 系列：TEMPFET®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：49V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫欧 @ 36A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 240µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：232nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA; 供应商设备封装：PG-TO220-7-180; 包装：Digi-Reel®

BTS282Z E3180A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7; 系列：TEMPFET®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：49V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫欧 @ 36A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 240µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：232nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA; 供应商设备封装：PG-TO220-7-180; 包装：带卷 (TR)

BTS282Z E3230详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7; 系列：TEMPFET®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：49V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫欧 @ 36A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 240µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：232nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-7; 供应商设备封装：PG-TO220-7-230; 包装：管件

B59339A1202P20
热敏电阻 - PTC EPCOS Inc 圆盘形 PTC THERMISTOR J 289-P 120-A 20
B43601C9337M82
电容器 EPCOS Inc 330UF 400V 35X25 SNAP-IN
C1005C0G1H150J
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 15PF 50V 5% NP0 0402
BKAD3-626-400-F0
背板 - ARINC ITT Cannon 0402（1005 公制） RACK AND PANEL RCPT 626POS
BTS141TC
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IC SWITCH SMART LOWSIDE TO263-3
B43305C9397M62
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 390UF 400V
B59339A1502P20
热敏电阻 - PTC EPCOS Inc 径向 PTC THERMISTOR J 29-P 120-A 20
B43601C9397M62
电容器 EPCOS Inc 390UF 400V 35X30 SNAP-IN
C1005C0G1H151J
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 150PF 50V 5% NP0 0402
B43305D5277M82
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 270UF 450V
B43601C9397M82
电容器 EPCOS Inc 390UF 400V 35X30 SNAP-IN
C1005C0G1H151J
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 150PF 50V 5% NP0 0402
BKAD3-800-40022
背板 - ARINC ITT Cannon 0402（1005 公制） RACK AND PANEL RCPT 800POS
B59346A1502P20
热敏电阻 - PTC EPCOS Inc 径向 PTC THERMISTOR J 29-P 190-A 20
BTS3046SDR
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 IC SW SMART LOW SIDE TO252-3-11

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