BST16 全国供应商、价格、PDF资料

BST16,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP 300V 200MA SOT89

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：200mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：300V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：750mV @ 5mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 50mA，10V

功率_最大：1.3W

频率_转换：15MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：SOT-89-3

包装：带卷 (TR)

BST16TA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 300V 500MA SOT-89

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：500mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：300V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2V @ 5mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：50µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 50mA，10V

功率_最大：1W

频率_转换：15MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：SOT-89-3

包装：剪切带 (CT)

BST16TA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 300V 500MA SOT-89

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：500mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：300V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2V @ 5mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：50µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 50mA，10V

功率_最大：1W

频率_转换：15MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：SOT-89-3

包装：带卷 (TR)