BSS87的供应信息|PDF资料|求购BSS87上51电子网

BSS87 E6433详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：240V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：260mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 欧姆 @ 260mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 108µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：97pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：PG-SOT89-4; 包装：带卷 (TR)

BSS87 L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：240V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：260mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 欧姆 @ 260mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 108µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：97pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：PG-SOT89-4; 包装：带卷 (TR)

BSS87 L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：240V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：260mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 欧姆 @ 260mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 108µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：97pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：PG-SOT89-4; 包装：剪切带 (CT)

BSS87 L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：240V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：260mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 欧姆 @ 260mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 108µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：97pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：PG-SOT89-4; 包装：Digi-Reel®

BSS87,115详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 400MA SOT-89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：400mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 400mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：120pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：SOT-89-3; 包装：剪切带 (CT)

BSS87,115详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 400MA SOT-89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：400mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 400mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：120pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：SOT-89-3; 包装：带卷 (TR)

C0805C682J1RALTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 6800PF 100V 5% X7R 0805
C1005X6S1A225K
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 2.2UF 10V 10% X6S 0402
BU-36-0
配件 Mueller Electric Co 0402（1005 公制） INSULATOR FOR BU-34,34C SRS BK
BZ-7RW82255518T
快动，限位，拉杆 Honeywell Sensing and Control SWITCH ROLLER SPDT 15A SCREW
BSS87,115
FET - 单 NXP Semiconductors TO-243AA MOSFET N-CH 200V 400MA SOT-89
71991-315LF
板至板 - 接头，插座，母插口 FCI TO-243AA CONN RCPT 30POS .100 DL STR PCB
74271131
用于线缆和布线的铁氧体芯体 Wurth Electronics Inc 1.594" L x 0.965" W x 0.826" H（40.50mm x 24.50mm x 21.00mm） FERR RND CABLE SNAP 6-7.5MM GRY
C0805C682J4GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 6800PF 16V 5% NP0 0805
C1005X6S1C105M
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 1UF 16V 20% X6S 0402
BZ-7RW8225551-D6
快动，限位，拉杆 Honeywell Sensing and Control TO-243AA SWITCH ROLLER SPDT 15A QC
71991-332H
板至板 - 接头，插座，母插口 FCI TO-243AA CONN RCPT 64POS .100 DL STR PCB
74271132S
用于线缆和布线的铁氧体芯体 Wurth Electronics Inc 1.594" L x 0.965" W x 0.826" H（40.50mm x 24.50mm x 21.00mm） FERR RND CABLE SNAP 7-8.5MM BLK
C0805C682JARACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 6800PF 250V 5% X7R 0805
BU-36-2
配件 Mueller Electric Co 0805（2012 公制） INSULATOR FOR BU-34,34C SRS RED
C1005X6S1C224M
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 0.22UF 16V 20% X6S 0402

BSS87 全国供应商、价格、PDF资料