BSS84详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：130mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 欧姆 @ 100mA，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.3nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：73pF @ 25V
- 功率_最大：360mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23
- 包装：剪切带 (CT)
BSS84详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：130mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 欧姆 @ 100mA，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.3nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：73pF @ 25V
- 功率_最大：360mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23
- 包装：带卷 (TR)
BSS84详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：130mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 欧姆 @ 100mA，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.3nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：73pF @ 25V
- 功率_最大：360mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23
- 包装：Digi-Reel®
BSS84,215详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：130mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 欧姆 @ 130mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：45pF @ 25V
- 功率_最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：剪切带 (CT)
BSS84,215详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：130mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 欧姆 @ 130mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：45pF @ 25V
- 功率_最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：带卷 (TR)
BSS84,215详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：130mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 欧姆 @ 130mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：45pF @ 25V
- 功率_最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：Digi-Reel®
- 钽 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 680UF 4V 20% 2917
- 陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 1UF 4V 20% X6S 0402
- PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 宽），5 引线 IC REG LDO 3.2V .2A 5SSOP
- FET - 单 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
- 快动，限位，拉杆 Honeywell Sensing and Control TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SWITCH STRGHT LVR SPDT 15A SCREW
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 680PF 100V 10% NP0 0805
- 用于线缆和布线的铁氧体芯体 Wurth Electronics Inc 11.50mm 外径 x 5.00mm 内径 x 20.50mm L FERRITE CORE 11.5MM OD
- 钽 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 220UF 6.3V 20% 2917
- 陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 1UF 4V 20% X6S 0402
- 用于线缆和布线的铁氧体芯体 Wurth Electronics Inc 15.85mm 外径 x 7.93mm 内径 x 50.80mm L FERRITE CORE 15.85MM OD
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 680PF 200V 10% X7R 0805
- 快动，限位，拉杆 Honeywell Sensing and Control 0805（2012 公制） SWITCH PLUNGER SPDT 15A SCREW
- 钽 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 470UF 6.3V 20% 2917
- 陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 1UF 4V 20% X6S 0402
- PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor 4-UDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 3.3V .2A 4-SSON
13410665908 
18926544209/1 
0755-83202411 
13410941925 
0755-83209630 
0755-83242658 
0755-83244680 
0755-82561519 
13510131896 
13480301972 
755-83258123 
0755-88917652 
0755-82561519 
0755-18503085 
0755-23996734 
