BSS83P的供应信息|PDF资料|求购BSS83P上51电子网

BSS83P H6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 330mA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：330mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 欧姆 @ 330mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 80µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3.57nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：78pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：带卷 (TR)

BSS83P H6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：330mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 欧姆 @ 330mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 80µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3.57nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：78pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：剪切带 (CT)

BSS83P H6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：330mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 欧姆 @ 330mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 80µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3.57nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：78pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：Digi-Reel®

BSS83PE6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：330mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 欧姆 @ 330mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 80µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3.57nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：78pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：剪切带 (CT)

BSS83PE6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：330mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 欧姆 @ 330mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 80µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3.57nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：78pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：带卷 (TR)

BSS83PL6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：330mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 欧姆 @ 330mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 80µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3.57nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：78pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：剪切带 (CT)

BQ48SH-28X6NSH
时钟/计时 - IC 电池 Texas Instruments 径向 IC SNAPHAT W/BATT AND CRYSTAL
BSS7728N L6327
FET - 单 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
BK/S506-2.5A
保险丝 Cooper Bussmann 5mm x 20mm FUSE 2.5A 250V T-LAG GLASS S506
C322C474M5U5CA
陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 0.47UF 50V 20% RADIAL
BSS83,215
RF FET NXP Semiconductors TO-253-4，TO-253AA MOSFET N-CH 10V 50MA SOT-143B
C0805C161F5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 160PF 50V 1% NP0 0805
BQ500211RGZT
PMIC - 电源管理 - 专用 Texas Instruments 48-VFQFN 裸露焊盘 IC WIRELESS PWR TX 48VQFN
BK/S506-V-1.6-R
保险丝 Cooper Bussmann 5mm x 20mm（轴向） FUSE 1.6A 250V T-LAG GLASS S506
B41505A158M
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP 1500UF 80V
C0805C161J2GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 160PF 200V 5% NP0 0805
BQ51011YFFT
PMIC - 电源管理 - 专用 Texas Instruments 28-UFBGA，DSBGA IC WIRELESS PWR RCVR 28DSBGA
BK/S506-V-50-R
保险丝 Cooper Bussmann 5mm x 20mm（轴向） FUSE 50MA 250V T-LAG GLASS S506
7-1911011-7
压接器，施用器，压力机 - 配件 TE Connectivity 5mm x 20mm（轴向） SYS III APPL SPARE PART KIT
B41505A3109M7
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP 10000UF 10V
BSS84_D87Z
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23

BSS83P 全国供应商、价格、PDF资料