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BSS7728N详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 26µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：剪切带 (CT)

BSS7728N详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 26µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：带卷 (TR)

BSS7728N详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 26µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：Digi-Reel®

BSS7728N H6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 26µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：Digi-Reel®

BSS7728N H6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 26µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：带卷 (TR)

BSS7728N H6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 26µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：剪切带 (CT)

8-1879645-3
通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 511 OHM 1/4W 0.5% AXIAL
BF014G0222K--
薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 2200PF 250VDC RADIAL
BU-13-0
配件 Mueller Electric Co 径向 INSULATOR FOR BU-11 SERIES BLACK
BFC241978203
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.082UF 400VDC RADIAL
BSS7728N
FET - 单 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
BGA-252-291
尖端，喷嘴 OKI/Metcal TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 NOZZLE BGA 25.2MM X 29.1MM
C901U151KVYDBAWL40
陶瓷 Kemet 径向，圆盘 CAP CER 150PF 400V 10% RADIAL
8-1879645-4
通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 536 OHM 1/4W 0.5% AXIAL
BF014G0272K--
薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 2700PF 250VDC RADIAL
BFC242011603
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.016UF 630VDC RADIAL
C901U152MYVDAA7317
陶瓷 Kemet 径向，圆盘 CAP CER 1500PF 250V 20% RADIAL
BGA2711,115
RF 放大器 NXP Semiconductors 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MMIC AMPLIFIER 6TSSOP
8-1879646-6
通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 68.1K OHM 1/4W 0.5% AXIAL
BF014G0682K
薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 6800PF 250VDC RADIAL
BU-13-0
配件 Mueller Electric Co 径向 INSULATOR FOR BU-11 SERIES BLACK

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