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BSR202N L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫欧 @ 3.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 30µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.8nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1147pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SC-59; 包装：带卷 (TR)

BSR202N L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫欧 @ 3.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 30µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.8nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1147pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SC-59; 包装：剪切带 (CT)

BSR202N L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫欧 @ 3.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 30µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.8nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1147pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SC-59; 包装：Digi-Reel®

DC1532A-H
其它 Linear Technology BOARD DEMO 105MSPS LTC2267-12
BSR19A,215
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DC1561A
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通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 25.6K OHM 1/2W 0.1% AXIAL
CMF553M3000FHEK
通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 3.3M OHM 1/2W 1% AXIAL
D38999/20WC35SD
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 22POS FLANGE W/SKT
CMF5537K760BHEK
通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 37.76K OHM 1/2W 0.1% AXIAL
D38999/20WE35JN
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 55POS WALL MNT W/SCKT
DC1562A-E
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