

BSR12,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP SOT-23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):15V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):450mV @ 10mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):50nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 50mA,1V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:1.5GHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:剪切带 (CT)
BSR12,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP SOT-23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):15V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):450mV @ 10mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):50nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 50mA,1V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:1.5GHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
BSR12,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP SOT-23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):15V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):450mV @ 10mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):50nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 50mA,1V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:1.5GHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:Digi-Reel®
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.22UF 50V 20% X7R 1210
- 其它 3M SURFACE LS BELT 15-1/2" A MED
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS PNP SOT-23
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 1210 180UH 5%
- 电容器 EPCOS Inc 33000UF 16V 30X40 SNAP IN
- 面板指示器,指示灯 Dialight LED 7MM RED PMI W GASKET
- 配件 TE Connectivity CLIP RETAINING PLASTIC
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.47UF 50V 5% X7R 1206
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.22UF 50V 20% X7R 1210
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 1210 180UH 10%
- 电容器 EPCOS Inc 47000UF 16V 30X50 SNAP IN
- 面板指示器,指示灯 Dialight LED PNL IND 7MM IP66 GRN RECESS
- 功率,高于 2 安 TE Connectivity RELAY GEN PURPOSE SPST 8A 12V
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1206
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.22UF 50V Z5U 1210