BSP61的供应信息|PDF资料|求购BSP61上51电子网

BSP61,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP 80V 500MA SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V; 功率_最大：1.25W; 频率_转换：200MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SC-73; 包装：带卷 (TR)

BSP61,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP 80V 500MA SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V; 功率_最大：1.25W; 频率_转换：200MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SC-73; 包装：剪切带 (CT)

BSP61,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP 80V 500MA SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V; 功率_最大：1.25W; 频率_转换：200MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SC-73; 包装：Digi-Reel®

BSP613P详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 2.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：875pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：带卷 (TR)

BSP613P L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 2.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：875pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：剪切带 (CT)

BSP613P L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 2.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：875pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：带卷 (TR)

6062
香蕉式和端头 - 插座，插头 Keystone Electronics 1210（3225 公制） JACK TEST HORIZ LOW PRO BLK GOLD
B82422H1102K
固定式 EPCOS Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR 1.0UH 1150MA 1210 10%
BSP373 L6327
FET - 单 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
B41044A5336M
电容器 EPCOS Inc 33UF 25V 5X11 SINGLE END
C1206C473J3RACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 0.047UF 25V 5% X7R 1206
61500084035
其它 3M 1206（3216 公制） TS HIGH STRENGTH DISC 3" A MED
6135.0032.0210
电源输入 - 输入端，输出端，模块 Schurter Inc 1206（3216 公制） 6.CBTBF100C0-C6135
60620-5
矩形 - 触点 TE Connectivity 1206（3216 公制） CONN PIN 14-20AWG GOLD CRIMP
C1210C186K9PACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 18UF 6.3V 10% X5R 1210
C1206C473J5RACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 0.047UF 50V 5% X7R 1206
B41044A5338M
电容器 EPCOS Inc 3300UF 25V 16X31.5 SINGLE END
61500084043
其它 3M SURFACE LS BELT 1/2X18" A MED
606-2415-110F
面板指示器，指示灯 Dialight LED PNL IND 6MM R,G 2V RECESS
6135.0139.0410
电源输入 - 输入端，输出端，模块 Schurter Inc 6.CBTBF150C0-C6135
C1210C220J5GACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 22PF 50V 5% NP0 1210

BSP61 全国供应商、价格、PDF资料