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BSP60,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V; 功率_最大：1.25W; 频率_转换：200MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SC-73; 包装：剪切带 (CT)

BSP60,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V; 功率_最大：1.25W; 频率_转换：200MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SC-73; 包装：带卷 (TR)

BSP60,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V; 功率_最大：1.25W; 频率_转换：200MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SC-73; 包装：Digi-Reel®

BSP603S2L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：33 毫欧 @ 2.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 50µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1390pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：带卷 (TR)

C0805C105K8RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1UF 10V 10% X7R 0805
BSP52
晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-261-4，TO-261AA TRANSISTOR DARL NPN 80V SOT-223
BQ24038EVM
评估演示板和套件 Texas Instruments TO-261-4，TO-261AA EVAL MODULE FOR BQ24038
C0603C123M5RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.012UF 50V 20% X7R 0603
74LVC1G06GW,125
逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC INVERTER W/O-D OUT 5TSSOP
C0603C684K4PACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.68UF 16V 10% X5R 0603
C200HW-BI081-V1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0603（1608 公制） BACKPLANE I/O EXPANSION 8 SLOT
C2012X5R1E105K/1.25
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 1UF 25V 10% X5R 0805
C0603C124K4RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.12UF 16V 10% X7R 0603
C0805C105M3PACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1UF 25V 20% X5R 0805
C0603C684K4PACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.68UF 16V 10% X5R 0603
74LVC1G06SE-7
逻辑 - 栅极和逆变器 Diodes Inc 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC INVERTER GATE 1INPUT SOT353
C200HW-BI081-V1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 BACKPLANE I/O EXPANSION 8 SLOT
C2012X5R1E105M/1.25
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 1UF 25V 20% X5R 0805
BQ24055EVM
评估演示板和套件 Texas Instruments 0805（2012 公制） EVAL MODULE FOR BQ24055

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