

BSP52详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR DARL NPN 80V SOT-223
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):80V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):10µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:2000 @ 500mA,10V
- 功率_最大:1W
- 频率_转换:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223-3
- 包装:带卷 (TR)
BSP52,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN 80V 1000MA SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):80V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):50nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:2000 @ 500mA,10V
- 功率_最大:1.25W
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SC-73
- 包装:剪切带 (CT)
BSP52,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN 80V 1000MA SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):80V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):50nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:2000 @ 500mA,10V
- 功率_最大:1.25W
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SC-73
- 包装:Digi-Reel®
BSP52,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN 80V 1000MA SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):80V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):50nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:2000 @ 500mA,10V
- 功率_最大:1.25W
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SC-73
- 包装:带卷 (TR)
BSP52T1详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN DARL 1A 80V SOT223
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):80V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):10µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:2000 @ 500mA,10V
- 功率_最大:800mW
- 频率_转换:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:剪切带 (CT)
BSP52T1详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN DARL 1A 80V SOT223
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):80V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):10µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:2000 @ 500mA,10V
- 功率_最大:800mW
- 频率_转换:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:Digi-Reel®
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 24POS INLINE W/PINS
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTING BRACKET FOR C200H-PRO27
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA TRANS NPN DARL 45V 1A SOT223
- DC DC Converters Emerson Network Power 9-DIP 模块 CONV DC/DC TRPL 5VOUT 40W METRIC
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 19POS INLINE W/PINS
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 5 POS BOX MNT W/PINS
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 2POS WALL MNT W/SKTS
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Rohm Semiconductor 14-SOIC(0.173",4.40mm 宽) IC QUAD 2INPUT NORGATE SOP14 TR
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 24POS INLINE W/PINS
- 反相器 JKL Components Corp. 9-DIP 模块 INVERTER 650V SGL FOR CCFL LAMP
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 5 POS BOX MNT W/PINS
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 19POS INLINE W/PINS
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 23POS WALL MNT W/PINS
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Rohm Semiconductor 14-DIP(0.300",7.62mm) IC QUAD EXCLUSIVE OR GATE DIP14
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div I/O LOCK BRACKET: 3-SLOT