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BSP296 E6433详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫欧 @ 1.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 400µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17.2nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：364pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：带卷 (TR)

BSP296 L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫欧 @ 1.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 400µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17.2nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：364pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：Digi-Reel®

BSP296 L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫欧 @ 1.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 400µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17.2nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：364pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：剪切带 (CT)

BSP296 L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫欧 @ 1.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 400µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17.2nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：364pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：带卷 (TR)

BSP296 L6433详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫欧 @ 1.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 400µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17.2nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：364pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：剪切带 (CT)

BSP296 L6433详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫欧 @ 1.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 400µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17.2nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：364pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：Digi-Reel®

CMF55357R00DHRE
通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 357 OHM 1/2W .5% AXIAL
CMF553K4800FKRE
通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 3.48K OHM 1/2W 1% AXIAL
BSP295E6327
FET - 单 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
D38999/20WD97PN
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 12POS FLANGE W/PINS
DP-241-8-120
功率 Signal Transformer 模块 XFRMR PWR 115/230V 120VCT 100VA
EBM12DTBD-S273
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD
D38999/20JE6SA
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 6POS FLANGE W/SKT
CMF55357R00FHEB
通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 357 OHM 1/2W 1% AXIAL
D38999/20WB5PD
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 5POS WALL MNT W/PINS
D38999/20WD97PN-LC
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 12POS PIN
EBM12DTBH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD
DP241-8-16A53
功率 Pulse Electronics Corporation 模块 TRANSFORMER 115/230V 16V 6.25A
D38999/20JE6SB
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS WALL MNT W/SCKT
CMF5535K200BEEA70
通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 35.2K OHM 1/2W .1% AXIAL
D38999/20WB5PE
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 5POS WALL MNT W/PINS

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