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BSP295 L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 1.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 400µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：368pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：Digi-Reel®

BSP295 L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 1.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 400µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：368pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：剪切带 (CT)

BSP295 L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 1.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 400µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：368pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：带卷 (TR)

BSP295E6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 1.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 400µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：368pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：带卷 (TR)

BSP295E6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 1.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 400µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：368pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：剪切带 (CT)

BSP295E6327T详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 1.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 400µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：368pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：剪切带 (CT)

B44030J64B
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO AL-ELKO
BSP225,115
FET - 单 NXP Semiconductors TO-261-4，TO-261AA MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223
AML51-G10RY
配件 Honeywell Sensing and Control TO-261-4，TO-261AA BUTTON FOR SWES AND INDICATORS
AMM36DRAI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions TO-261-4，TO-261AA CONN EDGECARD 72POS .156 R/A
AT206G
配件 NKK Switches TO-261-4，TO-261AA SW CAP .945" BEZEL BLUE
AFD58-16-8PX
连接器，互连器件 TE Connectivity TO-261-4，TO-261AA CONN RCPT 8POS FLANGE W/PINS
B76006D2279M50K14
钽 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 220UF 6.3V 20% 2917
4610-7355
矩形 - 自由悬挂，面板安装 3M 2917（7343 公制） CONN PLUG 10POS W/FLANGE&INSE
AML51-G10RY
配件 Honeywell Sensing and Control 2917（7343 公制） BUTTON FOR SWES AND INDICATORS
AFD58-16-8PX-6117
连接器，互连器件 TE Connectivity TO-261-4，TO-261AA CONN RCPT 8POS FLANGE W/PINS
AT206G
配件 NKK Switches TO-261-4，TO-261AA SW CAP .945" BEZEL BLUE
4610M-902-104LF
继电器 Bourns Inc. 10-SIP CAP ARRAY 5CH 0.1UF 50V 10-SIP
B76006E4779M035
钽 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 470UF 6.3V 20% 2917
AMM36DRSD-S288
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 2917（7343 公制） CONN EDGECARD 72POS .156 EXTEND
AML51-G10RY
配件 Honeywell Sensing and Control 2917（7343 公制） BUTTON FOR SWES AND INDICATORS

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