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BSP19,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN 350V 50MA SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：350V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 4mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 20mA，10V; 功率_最大：1.2W; 频率_转换：70MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SC-73; 包装：剪切带 (CT)

BSP19,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN 350V 50MA SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：350V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 4mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 20mA，10V; 功率_最大：1.2W; 频率_转换：70MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SC-73; 包装：带卷 (TR)

BSP19,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN 350V 50MA SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：350V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 4mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 20mA，10V; 功率_最大：1.2W; 频率_转换：70MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SC-73; 包装：Digi-Reel®

BSP19AT1详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN 100MA 350V SOT223; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：350V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 4mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 20mA，10V; 功率_最大：800mW; 频率_转换：70MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：Digi-Reel®

BSP19AT1详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN 100MA 350V SOT223; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：350V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 4mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 20mA，10V; 功率_最大：800mW; 频率_转换：70MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：剪切带 (CT)

BSP19AT1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN 100MA 350V SOT223; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：350V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 4mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 20mA，10V; 功率_最大：800mW; 频率_转换：70MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：带卷 (TR)

B3F-0802
触摸 Omron Electronics Inc-EMC Div 1206（3216 公制） SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V
BSP171PE6327
FET - 单 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
BR24L16FVT-WE2
存储器 Rohm Semiconductor 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC EEPROM 16KBIT 400KHZ 8TSSOP
BD48K46G-TL
PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC DETECTOR VOLT 4.6V OD SSOP3
BGA-BH-30
配件 OKI/Metcal TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 KIT UPGRADE FOR BOARD HOLDER
B82422T1472J
固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 1210 4.7UH 5%
C3216C0G2E392J
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 3900PF 250V 5% NP0 1206
B3F-1022-G
触摸 Omron Electronics Inc-EMC Div 1206（3216 公制） SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V
BFG.1W.100.NAZ
圆形 - 配件 LEMO 1206（3216 公制） CAP FOR PLUG CDG
BGA-BH-30
配件 OKI/Metcal TO-261-4，TO-261AA KIT UPGRADE FOR BOARD HOLDER
BD48K46G-TL
PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC DETECTOR VOLT 4.6V OD SSOP3
B82422T1823J
固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 1210 82UH 5%
B3F-1050
触摸 Omron Electronics Inc-EMC Div SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V
C3216C0G2E472J
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 4700PF 250V 5% NP0 1206
BFG.3K.100.NAS
圆形 - 配件 LEMO 1206（3216 公制） CAP F.PLUG CDG COVER

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