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BSP170P L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 1.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：带卷 (TR)

BSP170P L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 1.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：剪切带 (CT)

BSP170P L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 1.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：Digi-Reel®

BSP170PE6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 1.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：带卷 (TR)

BSP170PE6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 1.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：剪切带 (CT)

BSP170PE6327T详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 1.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：剪切带 (CT)

BFC242076803
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.068UF 630VDC RADIAL
B3D-4112
触摸 Omron Electronics Inc-EMC Div 径向 SWITCH TACTILE SPST-NO 0.01A 12V
BSP16T1
晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-261-4，TO-261AA TRANS SS PNP 300V 100MA SOT-223
BD4859N5050AHF
平衡-不平衡变压器 Anaren 4-SMD，无引线 XFRMR BALUN RF 4800-5900MHZ 0404
BGA7124,118
RF 放大器 NXP Semiconductors 8-VFDFN 裸露焊盘 IC MMIC DRIVER AMP 1STAGE 8HVSON
BR24L01AFVM-WTR
存储器 Rohm Semiconductor 8-VSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 宽） IC EEPROM 1KBIT 400KHZ 8MSOP
C3216C0G2A562J
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 5600PF 100V 5% NP0 1206
BFC280832659
微调器，可变 Vishay BC Components 1206（3216 公制） CAP TRIMMER 5.5-65PF 150V TH
B43505G2477M2
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 200V
BGA7210,515
RF 放大器 NXP Semiconductors 32-VFQFN 裸露焊盘 RF AMP 3.8GHZ VGA 32HVQFN
BD48K25G-TL
PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC DETECTOR VOLT 2.5V OD SSOP3
BR24L04FVT-WE2
存储器 Rohm Semiconductor 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC EEPROM 4KBIT 400KHZ 8TSSOP
BFG 19S E6327
RF 晶体管 (BJT) Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223
B43505G2477M82
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 200V
C3216C0G2A682J
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 6800PF 100V 5% NP0 1206

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