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BSP149 E6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：耗尽模式; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：660mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 欧姆 @ 660mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 400µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：带卷 (TR)

BSP149 E6906详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：耗尽模式; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：660mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 欧姆 @ 660mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 400µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：带卷 (TR)

BSP149 L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：耗尽模式; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：660mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 欧姆 @ 660mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 400µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：带卷 (TR)

BSP149 L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：耗尽模式; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：660mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 欧姆 @ 660mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 400µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：剪切带 (CT)

BSP149 L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：耗尽模式; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：660mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 欧姆 @ 660mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 400µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：Digi-Reel®

BSP149 L6906详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：耗尽模式; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：660mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 欧姆 @ 660mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 400µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：带卷 (TR)

AMM31DRSH-S288
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS .156 EXTEND
BSP149 E6906
FET - 单 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
461019 YL005
单芯导线 Alpha Wire TO-261-4，TO-261AA 461019 YELLOW 100 FT
B43890A5226M
电容器 EPCOS Inc 22UF 450V 16X20 SINGLE END
B72650M350K93
TVS - 变阻器，MOV EPCOS Inc VARISTOR CU3225K35G2K1
AFD58-16-26SW-6233
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 26POS SKT
AT206C
配件 NKK Switches SW CAP .945" BEZEL RED
AML51-G10RB
配件 Honeywell Sensing and Control BUTTON FOR SWES AND INDICATORS
AMM31DTAN-S189
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS R/A .156 SLD
B43890A9156M
电容器 EPCOS Inc 15UF 400V 12.5X20 SINGLE END
B72651M251K72
TVS - 变阻器，MOV EPCOS Inc VARISTOR CU3225K250G2H3
AT206D
配件 NKK Switches SW CAP .945" BEZEL AMBER
AFD58-16-26SY-LC
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 26POS SKT
AML51-G10RB
配件 Honeywell Sensing and Control BUTTON FOR SWES AND INDICATORS
46105C
固定式 Murata Power Solutions Inc 非标准 INDUCTOR 1000UH .27A SMD SHIELD

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