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BSP129 L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：耗尽模式; 漏极至源极电压333Vdss444：240V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：350mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 欧姆 @ 350mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 108µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.7nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：108pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：带卷 (TR)

BSP129 L6906详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：耗尽模式; 漏极至源极电压333Vdss444：240V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：350mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 欧姆 @ 350mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 108µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.7nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：108pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：带卷 (TR)

BSP129E6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：耗尽模式; 漏极至源极电压333Vdss444：240V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：350mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 欧姆 @ 350mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 108µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.7nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：108pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：剪切带 (CT)

BSP129E6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：耗尽模式; 漏极至源极电压333Vdss444：240V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：350mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 欧姆 @ 350mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 108µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.7nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：108pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：带卷 (TR)

BSP129E6327T详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：耗尽模式; 漏极至源极电压333Vdss444：240V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：350mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 欧姆 @ 350mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 108µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.7nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：108pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：剪切带 (CT)

BSP129E6327T详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：耗尽模式; 漏极至源极电压333Vdss444：240V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：350mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 欧姆 @ 350mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 108µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.7nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：108pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：带卷 (TR)

78B10S
DIP Grayhill Inc 1206（3216 公制） SWITCH 10POS DIP EXTENDED SEALED
BSP129 L6906
FET - 单 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
C1206C101JDGACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 100PF 1KV 5% NP0 1206
C4408.30.05
多芯导线 General Cable/Carol Brand 1206（3216 公制） 2C/22 SBC BURGLAR CMX/CMR
C1005X8R1H472K/EPOXY
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 4700PF 50V 10% X8R 0402
7B-16.9344MAAE-T
晶体 TXC CORPORATION 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CRYSTAL 16.9344 MHZ 12PF SMD
805F2K5
底座安装电阻器 Ohmite 轴向，盒 RES ALUM HOUSED WW 2.5K OHM 5W
C1206C186K9PACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 18UF 6.3V 10% X5R 1206
78B12
DIP Grayhill Inc 1206（3216 公制） SWITCH 12 POS DIP EXTENDED UNSLD
C1206C101JFGACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 100PF 1.5KV 5% NP0 1206
7B-16.9344MAAJ-T
晶体 TXC CORPORATION 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CRYSTAL 16.9344 MHZ 18PF SMD
C1005X8R1H682K
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 6800PF 50V 10% X8R 0402
C1206C186K9PACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 18UF 6.3V 10% X5R 1206
805F50R
底座安装电阻器 Ohmite 轴向，盒 RES ALUM HOUSED WW 50 OHM 5W
C4408ST.30.04
多芯导线 General Cable/Carol Brand 轴向，盒 2C/22 7/9.6 BURGLAR CMX/CMR

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