BSP126,115详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：375mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 300mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：120pF @ 25V
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SC-73
- 包装：带卷 (TR)
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- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：375mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 300mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：120pF @ 25V
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SC-73
- 包装：剪切带 (CT)
BSP126,115详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：375mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 300mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：120pF @ 25V
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SC-73
- 包装：带卷 (TR)
BSP126,115详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：375mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 300mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：120pF @ 25V
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SC-73
- 包装：Digi-Reel®
BSP126,135详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：375mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 300mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：120pF @ 25V
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SC-73
- 包装：剪切带 (CT)
BSP126,135详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：375mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 300mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：120pF @ 25V
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SC-73
- 包装：Digi-Reel®
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 390PF 50V 5% NP0 0603
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0603（1608 公制） TEMP SENSOR 4POS K,L
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 0805
- FET - 单 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
- 逻辑 - 变换器 Fairchild Semiconductor 24-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC TRANSCEIVER 8BIT 24TSSOP
- 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 NXP Semiconductors 48-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽） IC BUFF DVR TRI-ST 16BIT 48TSSOP
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 44-TFSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC GAS GAUGE W/IMP TRACK 44TSSOP
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 120PF 100V 1% NP0 0603
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 390PF 100V 10% X7R 0603
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 0805
- 逻辑 - 栅极和逆变器 STMicroelectronics 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC GATE NOR SGL 2INP SOT323-5
- 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 NXP Semiconductors 48-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽） IC BUFF DVR TRI-ST 16BIT 48TSSOP
- 存储器 - 控制器 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC SRAM NONVOLATILE CNTRLR 8SOIC
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 120PF 100V 1% NP0 0603
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0603（1608 公制） TEMP SENSOR 4INPUT PT 100OHM
0755-82569753 
0755-22655674 
19166203057 
0755-83798683 
0755-82533534 
0755-23612326 
15914072177 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-83777708 
13711580601 
0755-82574045 
0755- 8255602 
0755-83015506 
