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BSP125 E6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 欧姆 @ 120mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 94µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：带卷 (TR)

BSP125 E6433详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 欧姆 @ 120mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 94µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：带卷 (TR)

BSP125 L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 欧姆 @ 120mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 94µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：带卷 (TR)

BSP125 L6433详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 欧姆 @ 120mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 94µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：Digi-Reel®

BSP125 L6433详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 欧姆 @ 120mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 94µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：剪切带 (CT)

BSP125 L6433详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 欧姆 @ 120mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 94µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：带卷 (TR)

C1D0206S-VA
旋转 Electroswitch 0505（1313 公制） SWITCH ROTARY DP-6POS ENCLOSED
BRL2515T1R5M
固定式 Taiyo Yuden 1006（2515 公制） INDUCTR 1.5UH 1.15A 20% 1006 SMD
BSP110,115
FET - 单 NXP Semiconductors TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
C14N32P-B3
编码器 CUI Inc ENCODER OPT 32PPR 6.35MM D SHAFT
C921U102KYYDAAWL45
陶瓷 Kemet 径向，圆盘 CAP CER 1000PF 250V 10% RADIAL
BMK11000
配件 Red Lion Controls OR MLPS DIN RAIL BASE MNT KIT AD
C1808C681J5GALTU
陶瓷 Kemet 1808（4520 公制） CAP CER 680PF 50V 5% NP0 1808
CA02COME14S-5SBF80
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 5POS BOX MNT W/SKTS
C1DXG-1036G-ND
矩形 CW Industries 0505（1313 公制） IDC CABLE - CKR10G/AE10G/X
C150/450C
RF 天线 Laird Technologies IAS ANT WHIP DB CC 150/450 CHROME
C921U102KYYDBA7317
陶瓷 Kemet 径向，圆盘 CAP CER 1000PF 250V 10% RADIAL
BMK11000
配件 Red Lion Controls OR MLPS DIN RAIL BASE MNT KIT AD
CA02COME14S-6PA176
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 6POS BOX MNT W/PINS
BRL2515T2R2M
固定式 Taiyo Yuden 1006（2515 公制） INDUCTR 2.2UH 1.00A 20% 1006 SMD
BSP135 L6906
FET - 单 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

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