BSP123 L6327详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
- 系列：SIPMOS®
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：370mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 欧姆 @ 370mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 50µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：70pF @ 25V
- 功率_最大：1.79W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：PG-SOT223-4
- 包装：剪切带 (CT)
BSP123 L6327详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 370MA SOT-223
- 系列：SIPMOS®
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：370mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 欧姆 @ 370mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 50µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：70pF @ 25V
- 功率_最大：1.79W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：PG-SOT223-4
- 包装：Digi-Reel®
BSP123 L6327详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
- 系列：SIPMOS®
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：370mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 欧姆 @ 370mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 50µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：70pF @ 25V
- 功率_最大：1.79W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：PG-SOT223-4
- 包装：带卷 (TR)
BSP123E6327T详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
- 系列：SIPMOS®
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：370mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 欧姆 @ 370mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 50µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：70pF @ 25V
- 功率_最大：1.79W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：PG-SOT223-4
- 包装：剪切带 (CT)
BSP123E6327T详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
- 系列：SIPMOS®
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：370mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 欧姆 @ 370mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 50µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：70pF @ 25V
- 功率_最大：1.79W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：PG-SOT223-4
- 包装：带卷 (TR)
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 390PF 16V 5% NP0 0603
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.1UF 50V 5% X7R 0805
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Fairchild Semiconductor 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC GATE EXCL-OR QUAD 2IN 14TSSOP
- 逻辑 -计数器，除法器 NXP Semiconductors 16-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） IC SYNC 4BIT BIN COUNTER 16SSOP
- 评估演示板和套件 Texas Instruments 16-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） MODULE EVAL BQ20Z90/29330/29412
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 12PF 50V 10% NP0 0603
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 390PF 50V 5% NP0 0603
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0603（1608 公制） TEMP SENSOR 4POS K,L
- 逻辑 - 变换器 Fairchild Semiconductor 24-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC TRANSCEIVER 8BIT 24TSSOP
- 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 NXP Semiconductors 48-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽） IC BUFF DVR TRI-ST 16BIT 48TSSOP
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 44-TFSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC GAS GAUGE W/IMP TRACK 44TSSOP
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 120PF 100V 1% NP0 0603
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 390PF 100V 10% X7R 0603
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0603（1608 公制） TEMP SENSOR 4POS RTD
0755-88291559 
0755-83798683 
0755-84507209 
0755-82542579 
0755-82533534 
0512-67241533 
18026926850/0 
0755-82723761 
18913062888 
0755-83242658 
0755-83286481 
0755-82561519 
0755-88917652 
0755-22929859 
0755-18503085 
