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BSO615C G详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.1A，2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：PG-DSO-8; 包装：Digi-Reel®

BSO615C G详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.1A，2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：PG-DSO-8; 包装：带卷 (TR)

BSO615C G详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.1A，2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：PG-DSO-8; 包装：剪切带 (CT)

BSO615CT详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.1A，2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：PG-DSO-8; 包装：Digi-Reel®

BSO615CT详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.1A，2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：PG-DSO-8; 包装：剪切带 (CT)

BSO615CT详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.1A，2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：PG-DSO-8; 包装：带卷 (TR)

C1BXS-2036M-ND
矩形 CW Industries 0505（1313 公制） IDC CABLE - CSR20S/AE20M/X
BSO615CT
FET - 阵列 Infineon Technologies 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
CA02COME10SL-4SF80
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 2POS BOX MNT W/SKTS
BMI-S-203-F
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI BOARD SHIELD 1.032X1.032" FRAME
C917U750JYSDBAWL20
陶瓷 Kemet 径向，圆盘 CAP CER 75PF 250V 5% RADIAL
C14D16P-C2
编码器 CUI Inc ENCODER OPT 16PPR DET 6MM SHAFT
BRL1608T6R8M
固定式 Taiyo Yuden 0603（1608 公制） INDUCTR 6.8UH 250MA 20% 0603 SMD
BMI-S-204-C
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI BOARD SHIELD 1.26X1.26" COVER
C1808C471J5GACTU
陶瓷 Kemet 1808（4520 公制） CAP CER 470PF 50V 5% NP0 1808
C917U750JYSDCAWL35
陶瓷 Kemet 径向，圆盘 CAP CER 75PF 250V 5% RADIAL
C14D16P-C3
编码器 CUI Inc ENCODER OPT 16PPR 6.35MM D SHAFT
CA02COME10SL-4SF80
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 2POS BOX MNT W/SKTS
BRL2012T100M
固定式 Taiyo Yuden 0805（2012 公制） INDUCTOR 10UH 270MA 20% SMD
C1CXG-2036G-ND
矩形 CW Industries 0505（1313 公制） IDC CABLE - CKC20G/AE20G/X
C1808C471JCGACTU
陶瓷 Kemet 1808（4520 公制） CAP CER 470PF 500V 5% NP0 1808

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