BSN20,215详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23
- 系列：TrenchMOS™
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：173mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 欧姆 @ 100mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：25pF @ 10V
- 功率_最大：830mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：Digi-Reel®
BSN20,215详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23
- 系列：TrenchMOS™
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：173mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 欧姆 @ 100mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：25pF @ 10V
- 功率_最大：830mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：带卷 (TR)
BSN20,215详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23
- 系列：TrenchMOS™
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：173mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 欧姆 @ 100mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：25pF @ 10V
- 功率_最大：830mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：剪切带 (CT)
BSN20,215详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23
- 系列：TrenchMOS™
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：173mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 欧姆 @ 100mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：25pF @ 10V
- 功率_最大：830mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：带卷 (TR)
BSN20,235详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23
- 系列：TrenchMOS™
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：173mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 欧姆 @ 100mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：25pF @ 10V
- 功率_最大：830mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：带卷 (TR)
BSN20-7详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：Diodes Inc
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：500mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 欧姆 @ 220mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.8nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：40pF @ 10V
- 功率_最大：600mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23
- 包装：带卷 (TR)
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Diodes Inc 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC HEX INVERTER O-D 14TSSOP
- 逻辑 - 栅极和逆变器 STMicroelectronics 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC GATE NAND QUAD 2INP 14-SOIC
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 10000PF 25V 10% X8R 0805
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805（2012 公制） REMOTE SLAVE ALL FIBER 120VAC
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.33UF 16V Y5V 0603
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC LITH-ION LDO CHRG MGMT 8-SOIC
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.1UF 16V Y5V 0603
- 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 NXP Semiconductors 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC BUFF HEX OPEN DRAIN 14SOIC
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 10000PF 25V 10% X8R 0805
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805（2012 公制） REMOTE SLAVE 2-WIRE 120VAC
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 3.3UF 6.3V 10% X5R 0603
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 1UF 25V 10% X5R 0603
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC LITH-ION LDO CHRG MGMT 8TSSOP
- 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 Diodes Inc 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC LOGIC GATE/INVERTER
0755-83202411 
13410941925 
0755-83209630 
0755- 8251939 
0755-83244680 
0755-82561519 
13510131896 
13480301972 
0755-88917652 
0755-18503085 
15914072177 
0755-82524712 
0755-83777708 
0755-82569753 
0755-22655674 
0755-82574045 
