

BSD223P详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:390mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 390mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 1.5µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.62nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:56pF @ 15V
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:PG-SOT363-6
- 包装:剪切带 (CT)
BSD223P详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:390mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 390mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 1.5µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.62nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:56pF @ 15V
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:PG-SOT363-6
- 包装:带卷 (TR)
BSD223P详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:390mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 390mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 1.5µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.62nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:56pF @ 15V
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:PG-SOT363-6
- 包装:Digi-Reel®
BSD223P H6327详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH 20V 390MA SOT363
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:390mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 390mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 1.5µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.62nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:56pF @ 15V
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:PG-SOT363-6
- 包装:带卷 (TR)
BSD223P L6327详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:390mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 390mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 1.5µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.62nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:56pF @ 15V
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:PG-SOT363-6
- 包装:带卷 (TR)
- 拭淨簽和刷子 MG Chemicals 径向,圆盘 SWAB CHAMOIS DOUBLE ENDED 500PCS
- FET - 阵列 Infineon Technologies 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363
- 配件 Crouzet USA 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 "H" ACT SIMRLR R=21.8 FOR 161
- 晶体 TXC CORPORATION 4-SMD CRYSTAL 40.000 MHZ 12PF SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 0603(1608 公制) RES 165 OHM 1/16W 1% 0603
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 8200PF 50V 10% X7R 1206
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 36PF 300V 5% RADIAL
- 同轴,RF Bomar Interconnect Products Inc 径向,圆盘 CRIMP PLUG
- 同轴 General Cable/Carol Brand 径向,圆盘 RG-6/18AWG 1PR COMMAND SER 1000’
- 芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 0603(1608 公制) RES 165 OHM 1/16W 1% 0603
- 晶体 TXC CORPORATION - CRYSTAL 40.000 MHZ 12PF SMD
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 39PF 250V 5% RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.082UF 250V 5% X7R 1206
- 同轴 General Cable/Carol Brand 1206(3216 公制) RG59/U CCTV W/18 AWG PR PLENUM
- 底座安装电阻器 Ohmite 轴向,盒 RES ALUM HOUSED WW 10K OHM 10W